亞成微電子近期推出了一套全新高精簡低成本65W GaN快充方案，該方案具有小體積、大功率、高效率（效率Max >93%）、超低待機功耗（待機功耗

正面

反面

電路原理

基於亞成微RM6601SN+RM3410T設計的PD-65W六級能效快充電源，DEMO外形尺寸為62mm（L）x30mm（W）x23mm（H），透過計算可得PCB模組的功率密度達到了1。52W/cm 。

同時，亞成微基於RM6601SN+RM3410T開發的這套65W GaN快充快充方案具有高整合、高密度、高性價比的特點，足以應對目前市場對65W GaN快充的需求。

亞成微RM6601SN是一款高效能高可靠性電流控制型PWM 開關控制晶片，全電壓範圍內待機功耗小於75mW，滿足六級能效標準，並且支援 CCM/QR 混合模式。

亞成微RM6601SN整合多種工作模式，在過載情況下，系統工作在傳統的固頻 130KHz 的 PWM 模式下，在低壓輸入時會進入 CCM 模式；在過載情況下，系統工作在 QR 模式，以降低開關損耗，同時結合 PFM工作模式提高系統效率；RM6601SN 採用專有驅動技術，直驅E-MODE GaN功率器件，提高產品效率及功率密度，簡化EMI濾波電路設計，降低EMI器件成本，完美應用於大功率快速充電器。

在輕載或空載情況下，系統工作在 Burst Mode 模式，有效去除音訊噪音，同時在該模式下，RM6601SN 本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善 EMI。

RM6601SN 同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內建 OTP，外接 OVP，欠壓鎖定（uvlo），逐週期過流保護 OCP，過載保護（OLP），CS 短路保護，輸出肖特基短路保護等，並內建斜坡補償功能。

該套方案搭配亞成微RM3410T高效能同步整流晶片，系統穩定性更高。是一款高效能同步整流器，用於反激式二次側整流。透過驅動MOSFET，與傳統的二極體整流器相比，RM3410T能夠顯著提高效率。當RM3410T檢測到MOSFET的VDS小於-300mV時，它會導通MOSFET。一旦VSWS大於-10mV，RM3410T將關閉MOSFET。RM3410T支援多種操作模式，如DCM，CrCM，CCM和準諧振。透過實施專有技術，RM3410T能夠處理CCM操作。

亞成微電子是一家專注高速功率整合技術的高階模擬IC設計公司，擁有10年以上的類比電路設計公司運營經驗。公司具有國際領先技術水平設計團隊，在USB PD快充領域，亞成微致力於為客戶提供高功率密度USB PD快充解決方案，目前已推出了國內首款ZVS反激開關電源晶片RM6801S、國內首批E-Mode GaN FET直驅ZVS反激控制晶片RM6801SN、採用新一代PWM控制技術（自供電雙繞組架構）的初級主控晶片RM6715S、RM6717S以及內建coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同時還配套推出了內建SGT MOS的次級同步整流晶片RM3405SH、RM3410T、RM3412SH、RM3413SH和RM3414SH。