IT之家 5 月 13 日訊息，西部資料在 5 月 10 日的釋出會中不僅釋出了一系列新品，還透露了其 3D 快閃記憶體路線圖。

西數稱，他們的下一代的 BiCS6 為 162 層 3D NAND，而西數剛釋出的旗艦固態 SN850X 使用的則是 2020 年生產的 BiCS5 112 層 3D NAND 。

BiCS6 將帶來更快的 I / O 介面和更快的顆粒頻寬，而且其 QLC 版本擁有比 TLC 版本更小的芯片面積和更高的儲存密度，而且雖然西數的 BiCS6 QLC 顆粒的堆疊層數比美光和 SK 海力士的 176 層 QLC 快閃記憶體要低一些，但儲存密度卻超越了它們。

QLC 顆粒自它誕生的那天起就被網友們冠上“垃圾”的名頭，原因就是它不僅寫入壽命短，緩外寫入速度還低的離譜。當消費者們看到 QLC 硬碟的產品宣傳頁面寫著 2000MB/s的寫入速度就興沖沖的將其買回家時，他們還不知道這些硬碟的緩外寫入速度實際上只有可憐的幾十 MB 每秒，甚至不如機械硬碟。

緩外寫入速度即為資料直接在儲存顆粒上的寫入速度，廠家一般會透過新增 SLC 快取、虛擬快取、DRAM 快取等手段來延緩這種情況的出現。然而這些快取的容量一般都遠小於硬碟的實際容量，對於平價的 QLC 固態來說更是如此。

而西數優化了其 QLC 顆粒的寫入速度，BiCS6 的 QLC 版本寫入速度達到了 60MB/s，是英特爾 144 層 QLC 的 1。5 倍，是自家 96 層 BiCS4 QLC 的 6 倍還多。儘管該速度還是比 BiCS6 的 TLC 版本慢了 60%。

採用 BiCS6 3D NAND 的 TLC 以及 QLC 固態硬碟將會在 2022 年底生產，而且其幻燈片上還提到了 PLC 顆粒（QLC 的下一代），但官方並未公佈其更多資訊。

IT之家瞭解到，西數還稱將為企業使用者開發 200 多層的 BiCS + 快閃記憶體以滿足資料中心對高容量和高效能的需求，與 BiCS6 相比，BiCS + 在儲存密度將增長 55%，且其傳輸速度提高 60%，寫入速度也會提高 15%。

除此之外西數還公開了一些正在研發中的技術，比如透過粘合多個晶圓並使用其他先進技術製造具有 500 多層的 3D NAND，透過路線圖得知該技術有望在 2032 年到來。