高通和三星為 2022 年大量最佳 Android 旗艦提供動力的新型高階晶片因過熱問題而受到批評。一些報道表明三星的 4nm 製造工藝應該受到指責，但現在有人認為其他原因可能是罪魁禍首。

據韓媒businesskorea報道，“目前，高通的驍龍和三星電子的Exynos應用處理器在大部分安卓旗艦手機中使用，這些手機在發熱、效能和功耗方面都存在問題，”一位業內人士表示。他金銀補充道，“應用處理器是ARM設計的，無論在三星電子還是臺積電生產都證實了同樣的問題，可以說這個問題不是廠商帶來的而是設計者。”

同時，也有專家指出，這些問題是製造工藝、應用處理器設計、外圍元件和智慧手機效能本身等多種因素綜合作用的結果。“iPhone 應用處理器也是由 ARM 設計的，但這款手機在發熱和效能方面從未出現過問題，”其中一位業內人士說說。

Snapdragon 8 Gen 1 和 Exynos 2200 均基於三星的 4nm 工藝，架構基本相同，具有一個用於效能的 Arm Cortex X2 核心、三個“大”Cortex-A710 核心和四個用於高效能的 Cortex-A510“小”核心- 效率工作負載。與他們正在替換的微架構相比，X2 核心快 16%，A710 快 10%，A510 快 35%。

功率帶來熱量，所以他們認為ARM 的新設計是新款 Snapdragon 和 Exynos 晶片升溫如此之快的原因。這似乎可以解釋為什麼高通的下一代高階晶片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 將配備降頻的 Cortex X2 核心。

但這並不代表三星沒有錯，因為如上所述，這是多方問題的結果。

為此高通預計將在 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 上放棄三星而選擇臺積電，而聯發科基於臺積電 4nm 工藝的天璣 9000 據說比其他 Android 晶片更快、更省電，因此三星的工藝肯定會有所改進。

臺媒報道，因三星 4 納米制程良率出包，大客戶高通 （QCOM-US） 已找上臺積電 （2330-TW） 代工生產新一代、加強版的旗艦手機晶片驍龍 （Snapdragon）8 Gen 1 Plus，且正與臺積電協商，希望能儘快交貨，將有 2 萬片可提前至 4 月出貨，以取代現有的驍龍 8 Gen 1。

由於臺積電 4 納米制程已被蘋果包光，高通先前只能採用三星 4 納米制程投片驍龍 8 Gen 1，去年 12 月初推出新一代旗艦手機晶片驍龍 8 Gen 1，但今年初就傳出因三星 4 納米制程良率問題，高通決定重回臺積電懷抱，加強版驍龍 8 Gen 1 Plus 將改採臺積電 4 納米制程投片，預計最快下半年放量出貨。

不過，據外媒報導，由於驍龍 8 Gen 1 製程良率出包、量產不順，且無法解決過熱問題，高通正與臺積電協商，盼臺積電生產完其他客戶晶片後，能以 4 納米制程生產驍龍 8 Gen 1 Plus，並儘早交貨。

外媒指出，臺積電所生產的驍龍 8 Gen 1 Plus，將有 2 萬片可提前至 4 月出貨，第三季開始每季產量達 5 萬片，且良率超過 7 成，遠優於三星的 4 納米制程。

有臺積電鼎力相助，高通驍龍 8 Gen 1 Plus 旗艦晶片出貨速度將加快，效能與能耗表現也可望同步提升；而在高通重回臺積電 4 奈米懷抱下，先前因臺積電 4 奈米產能有限，而轉單至三星 4 奈米投片 Chromebook CPU 的超微 ，是否會跟進腳步，也將備受市場關注。

高通Snapdragon 8 Gen 1 為包括三星在內的眾多手機巨頭的產品提供動力，但看起來這種現成方法的有效性已達到極限。據報道，為了解決這個問題，三星現在將更多地專注於為其手機構建定製晶片。