在半導體行業，想要真正地不受限於人，研發國產光刻機必然是繞不過的坎兒。

荷蘭ASML掌握著全球領先的光刻機生產技術，但這家公司無法自由向我們供貨，極大地限制了我國在半導體行業發展。

生產效能出色的晶片就需要更先進的光刻機，目前在光刻機領域的高階機型分為兩種，一種是ArFi光刻機，叫作浸沒式深紫外光刻機，還有一種大家熟悉的EUV光刻機，也被稱為極紫外光刻機。

兩種光刻機的區別是光源波長，

ArFi光刻機本身還是ArF的光源，波長為193nm，在經過超純水折射後可以做到等效134nm，而EUV光刻機的光源波長為13.5奈米。

而數值越小代表著可製造晶片的工藝越先進，這也是7nm及以下製程的晶片必須要用EUV光刻機裝置的原因，因為ArFi光刻機卡在了光源波長上面，而目前能夠生產EUV光刻機的廠商只有ASML。

所以沒有ASML的先進光刻機，我們自主研發的高階晶片也只能被迫停產，因為沒有光刻機生產晶片，一切都是白忙活。不過好訊息是我們有望在ARFi光刻機這塊取得突破了。

目前國內已經做出了ArF光刻機，技術還沒有達到該型別最好的水平，

國產光刻機的解析度為90nm，可以生產65nm的晶片。

但現在有關國產ArFi光刻機的訊息已經傳來了，因為就在前些時候，

國望光學的超淨室工程已經開標，官方明確表示，該生產基地將生產多個工藝的光學曝光系統，其中就包括28nm。

而28nm就是ArFi光刻機的分水嶺，因為無論是ASML還是尼康等企業做出的ArFi光刻機都只能達到38nm，

後期是透過透鏡光學系統做到的最優方案，也就是1.35的數值孔徑。

可見，28nm解析度是ArFi光刻機的終極水平，想要達到28nm解析度，就必須解決透鏡光學系統這道難關，

但現在國望光學已經取得了突破，意味著掌握了業界領先的技術。

在解決28nm這道門檻之後，晶片製造工藝便可以透過一些製造方法解決，例如採用多重圖形、雙重曝光等技術，做出14nm、10nm製程的晶片也不是難事。

所以只要我們成功突破28nm之後，一直到7nm都將是長驅直入的，

量產晶片也能最大程度地滿足市場需求，而下一個要解決的難題就是EUV光刻機。

那麼國產光刻機突破28nm，對於國內半導體產業發展而言，究竟有著怎樣的意義呢？其實臺積電等半導體代工企業，這兩年都在積極地擴建28nm在內的生產線了，比如臺積電南京工廠就在擴產28nm晶片。

另外還有中國大陸的半導體代工企業中芯國際，同樣在28nm工藝上加大了產能，這就意味著接下來28nm及以下的市場需求量將穩步提升。

仔細想來也很正常，畢竟

這兩年新能源汽車發展飛快，對於車規級晶片的需求量非常大，

相信未來對28nm等晶片的需求量還將進一步提升。

屆時國內企業對28nm光刻機的需求也會大幅提升，

假如國產光刻機真的成功實現了交付，那麼對中國大陸的半導體產業來說，必將起到非常積極的推動作用。

如此一來，我國的半導體產業必將長驅直入，實現歷史上最偉大的跨越。對此你怎麼看呢，歡迎評論、點贊、分享。