眾所周知，當前在晶圓代工上，只有三星能夠與TSMC競爭一下了。但事實上，從市場份額來看，兩者相差還非常大的，TSMC的份額有55%左右，而三星只有20%左右。

三星唯一拿得出手競爭的，其實是自己摻了點水份的工藝，似乎與TSMC不相上下，同時進入5nm，再進入4nm，再進入3nm，甚至在3nm上，三星還要採用GAAFET技術，比TSMC的FinFET技術更先進。

之前三星已經獲得了高通的支援，高通將自己的5nm晶片驍龍888、4nm晶片8Gen1都交給三星代工。

所以三星信心滿滿，要在3nm時想辦法追上並超過TSMC，未來成為晶圓代工的龍頭，打敗TSMC。

不過4nm工藝開局不利，三星幫高通代的驍龍8Gen1，表現不給力。更重要的是外界傳聞三星4nm工藝的良率只有35%左右。

也就是說晶圓製造成晶片，只有三分之一是可用的，另外的三分之二是殘次品，導致三星產能低、效率慢，高通都受不了了，要轉單TSMC，生產另外一批8Gen1。

而近日，媒體PhoneArena報道，不僅4nm良率低，三星在試產的3nm良率更是低到離譜。

按照PhoneArena的說法，三星代工廠早期的3nm良率一直在10%至20%之間，比4nm那35%的良率糟糕多了。

為何3nm良率這麼低，原因是三星在3nm時，採用全環柵極電晶體架構（GAAFET），這是業界首次採用這種技術，三星也是第一次。

相比於之前從14nm工藝就使用的FinFET電晶體，三星也是完全沒經驗，再加上本來就難度大，所以導致良率低。

三星肯定目前在大力提升良率，要知道10-20%的良率，根本沒法批次生產，會導致成本大增，同時產能大降，畢竟10塊晶片中，才1-2顆可用，其它的8、9顆都是壞的，你說成本會高到哪裡去？只怕生產出來，價格貴到消費者都用不起啊。