集微網訊息，5月20日，據DIGITIMES報道，業內人士透露，晶片製造商加入200層以上3D NAND快閃記憶體晶片的競爭將加速QLC SSD的應用，尤其是在2023年的消費領域。

圖源：DIGITIMES

訊息人士指出，在消費類SSD中，QLC NAND快閃記憶體的採用率預計明年將達到20%。

訊息人士稱，由於QLC NAND快閃記憶體的價格將被晶片製造商的技術迭代進一步拖累，預計2024年至2025年，QLC NAND SSD也將被廣泛用於企業級SSD。

訊息人士指出，三星電子可能最早於2022年底開始生產200層以上的3D NAND快閃記憶體晶片。該廠商預計將在2023年初推出其超過200層的第八代V-NAND。

美光科技已經推出了聲稱是業界首個232層的3D NAND快閃記憶體，它將被用於在2023年推出的新SSD。這家美國供應商還公佈了2YY層、3XX層和4XX層NAND技術的計劃。

報道稱，三星和美光都已經在大規模生產各自的176層3D NAND快閃記憶體晶片。

西部資料在其最近的投資者日活動中披露了與合作伙伴鎧俠開發2XX層NAND技術的計劃。西部資料表示，他們的第六代162層的BiCS 3D NAND技術將是今年的製造重點。（校對/思坦）