隨著第12代酷睿Alder Lake系列、AMD銳龍6000系列移動處理器的廣泛採用，越來越多的膝上型電腦開始採用DDR5筆記本記憶體。因此為了幫助膝上型電腦獲得更好的效能或者更大的容量，記憶體廠商也開始推出DDR5 SO-DIMM筆記本記憶體新品，如本次將要測試的這款英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體16GB套裝產品。

與標準的桌面型DDR5記憶體相比，DDR5 SO-DIMM筆記本記憶體要小不少，其長寬分別只有約69。6mm、30mm。而桌面版的DDR5記憶體，哪怕是採用矮版設計，沒有設計RGB導光條，一般長寬也能分別達到133mm、35mm。本次測試的英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體16GB套裝由兩條單根容量為8GB的記憶體組成，每根記憶體採用單面4顆粒設計，這也是市面上比較少見，顆粒數相當少的記憶體產品，也就是說每顆顆粒的容量為2GB。

得益於DDR5記憶體技術，DDR5 SO-DIMM記憶體的顆粒容量更大，儲存密度大幅度提升。而此前我們測試的一款DDR4 SO-DIMM記憶體雖然採用了雙面8顆粒設計，記憶體顆粒數量達到8顆，但其單根容量只有8GB，每顆顆粒的容量為1GB。

再就是DDR5在電壓方面的改進，電壓降低至1。1V，這使得DDR5記憶體擁有相比DDR4記憶體相對更高的效率和更低的功耗，畢竟DDR4 SO-DIMM記憶體的工作電壓也需要1。2V。與DDR4記憶體相比，DDR5記憶體在電路設計上也有重大變化，將記憶體的電源管理積體電路（PMIC）從主機板轉移到了DDR5記憶體上，因此英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體也配備了品質可靠的電源管理積體電路，確保為記憶體的各個元件提供充沛的“動力”。該記憶體的PMIC電源管理積體電路在記憶體中部的頂端，可以精準地將來自主機板的5V電壓降壓輸出給記憶體使用或按使用者設定的電壓工作。

▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體中部的頂端配備了PMIC電源管理積體電路。

此外DDR5 SO-DIMM記憶體也同樣加入了On-die Ecc糾錯功能，可以發現和糾正出現在記憶體單元中的資料錯誤，在DDR5記憶體達到較高頻率的同時，確保工作穩定性與資料完整性。

作為美光的消費級品牌，英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體理所當然地選用了來自美光原廠，編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5記憶體顆粒。其產品編號為MT60B1G16HC-48B ，工作溫度在0℃～95℃範圍內。根據《微型計算機》評測室的測試結果，美光DDR5記憶體顆粒一般可以穩定超頻到DDR5 5600，所以讓它僅僅穩定工作在DDR5 4800是毫無問題的。

▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體選用了來自美光原廠，編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5記憶體顆粒。

考慮到膝上型電腦BIOS沒有太多的調節專案，因此這款記憶體具備自動設定頻率、延遲的能力。使用者無須任何設定，只要將記憶體插入記憶體插槽，記憶體頻率就能自動提升到最高頻率，即DDR5 4800並自動使用最優延遲的能力。其在DDR5 4800下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲引數僅為40-39-39-76，與其他遊戲本使用的DDR5記憶體規格相當。如華碩天選3酷睿版遊戲本搭載的16GB（8GB×2）三星DDR5 4800筆記本記憶體採用的延遲設定也是40-39-39-76，那麼英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體是否有什麼優勢呢？接下來我們在華碩天選3酷睿版遊戲本上進行了測試。

▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本記憶體的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲引數僅為40-39-39-76。

結果令人意外，儘管華碩天選3酷睿版遊戲本里的原配三星DDR5 4800記憶體在主要延遲設定上與英睿達DDR5 4800筆記本記憶體16GB套裝相同，但在記憶體效能上後者卻具備明顯的優勢。如在AIDA64記憶體讀寫測試中，英睿達DDR5 4800 筆記本記憶體16GB套裝的讀取、複製頻寬分別可達66732MB/s、57548MB/s。而原配三星DDR5 4800記憶體的讀取、複製頻寬則分別只有57414MB/s、50493MB/s。三星記憶體僅在記憶體寫入頻寬上有小幅優勢。在AIDA64記憶體延遲測試上，英睿達產品也比三星記憶體低了近6ns。

同時在SiSoftware Sandra記憶體頻寬、記憶體延遲測試、《魯大師》記憶體效能測試、PerformanceTest 10。2記憶體效能上，英睿達DDR5 4800筆記本記憶體16GB套裝較原配三星DDR5 4800記憶體都有更好的表現。我們推測這很有可能是英睿達產品在其他小參設定上較三星記憶體更加激進所帶來的結果。畢竟記憶體的延遲引數設定其實除了四個主要延遲外，還有大量與效能相關的其他記憶體延遲引數，如設定得不同也會帶來效能上的差異。另外我們推測也可能是由於記憶體Die的技術特性存在差異所致，如在介面速度或Die的數量等。

▲英睿達DDR5 4800 筆記本記憶體16GB套裝的發熱量也不算很大，在華碩天選3酷睿版遊戲本中烤機半小時後，兩根記憶體的最高工作溫度分別為57。8℃、61℃。

總之，儘管頻率相同、主要延遲設定相同，但在效能上，英睿達DDR5 4800筆記本記憶體16GB套裝相較原配的三星DDR5 4800筆記本記憶體的確更勝一籌。這也讓華碩天選3酷睿版遊戲本在搭載英睿達DDR5 4800筆記本記憶體後，擁有更好的處理器效能。其在《魯大師》處理器效能、《魯大師》整機效能、CINEBENCH R23處理器多核心渲染效能、7-ZIP處理器壓縮與解壓縮效能測試上均更勝一籌。所以如果想為採用DDR5記憶體的膝上型電腦升級記憶體效能或容量，那麼這款英睿達DDR5 4800 筆記本記憶體16GB套裝就是一個不錯的選擇。