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長江儲存成功挑戰200+層技術,釋出第四代TLC三維快閃記憶體,比肩國際大廠

長江儲存成功挑戰200+層技術,釋出第四代TLC三維快閃記憶體,比肩國際大廠

長江儲存在2022年快閃記憶體峰會(FMS)上正式釋出了基於晶棧3。0(Xtacking3。0)技術的第四代TLC三維快閃記憶體X3-9070。根據供應鏈透露,堆疊層數達到232層,與一線國際NAND FLash大廠比肩而行。相比長江儲存上一代產品,X3-9070擁有更高的儲存密度,更快的I/O速度,並採用6-plane設計,效能提升的同時功耗更低,進一步釋放系統級產品潛能。

長江儲存第四代TLC三維快閃記憶體X3-9070

自2018年問世以來,晶棧Xtacking技術已成為長江儲存助推快閃記憶體行業發展的關鍵動力之一。儲存陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為快閃記憶體產品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產品上市週期。隨著長江儲存晶棧3。0的推出,新一代X3系列快閃記憶體產品將為大資料、5G、智慧物聯AloT及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。

經歷了晶棧Xtacking從1。0到3。0的迭代發展,長江儲存在三維異構整合領域已積累了豐富的經驗,並基於晶棧Xtacking技術成功打造了多款長江儲存系統解決方案產品,包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態硬碟,以及用於行動通訊和其他嵌入式應用的eMMC、UFS等嵌入式儲存產品,獲得了行業合作伙伴的廣泛好評。

NAND Flash晶片技術上,只要堆疊的層數越多,容量就會越高。NAND快閃記憶體堆對層數達到200+是產業的創舉,包括美國美光、韓國三星、日本鎧俠三家快閃記憶體大廠都進入200+層大戰。長江儲存的技術堆疊層數一路從64層、72層、96層、128層,現在也正式跨入200+大戰,顯示其技術水平已經與國際大廠比肩。距離2016年成立至今,只花了不到十年的時間。

Forward Insights 創始人兼首席分析師 Gregory Wong表示,“長江儲存自研晶棧3。0架構的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破,儲存陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術對推動3D NAND 技術發展和創新至關重要。搭載先進的快閃記憶體技術晶棧3。0平臺,X3-9070是一個關鍵的行業里程碑。這也預示著,儲存單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術,將有望成為未來的行業主流。”

長江儲存X3-9070的效能、耐用性和可靠性已並透過美國電子器件工程聯合委員會(JEDEC)定義的多項測試標準,整體而言,X3-9070具有如下技術特點:

效能:X3-9070實現高達2400MT/s的I/O傳輸速率,符合ONFI5。0規範;相較於長江儲存上一代產品實現了50%的效能提升;

密度:得益於晶棧3。0的架構創新,X3-9070成為了長江儲存歷史上密度最高的快閃記憶體顆粒產品,能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb的儲存容量;

提升系統級產品體驗:得益於創新的 6-plane設計,X3-9070相比傳統4-plane,效能提升50%以上,同時功耗降低25%,能效比顯著提升,可為終端使用者帶來更具吸引力的總體擁有成本(TCO)。

長江儲存執行副總裁陳軼表示,“X3-9070快閃記憶體顆粒是長江儲存近年來在三維快閃記憶體領域的匠心之作,擁有出色的效能表現和極高的儲存密度,能夠快速高效地應用於主流商用場景之中。面對蓬勃發展的5G、雲計算、物聯網、自動駕駛、人工智慧等新技術帶來的全新需求和挑戰,長江儲存將以晶棧為基點,不斷開發更多快閃記憶體產品,協同上下游儲存合作伙伴,用晶棧為儲存產業賦能。

長江儲存成功挑戰200+層技術,釋出第四代TLC三維快閃記憶體,比肩國際大廠