Everspin一款

串列埠mram

晶片，型號為MR25H10CDF，工作溫度範圍：-40℃to+85℃，是一款工業級別的儲存晶片，可用於工控裝置的應用，特別是對溫度有嚴格要求的應用，儲存容量1Mb（128Kx8），資料位寬8位。

MR25H10CDF提供序列EEPROM和序列快閃記憶體相容的讀/寫定時，沒有寫入延遲和無限讀/寫耐久性。與其他序列儲存器不同，讀取和寫入都可以在記憶體中隨機發生，寫入之間沒有延遲。MR25H10是用於使用少量I/O引腳快速儲存和檢索資料和程式的應用的理想記憶體解決方案。封裝採用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。兩與序列EEPROM，FLASH和FERAM產品相容。

MR25H10CDF在各種溫度範圍內提供高度可靠的資料儲存。該產品提供工業（-40℃至+85℃）和AEC-Q100級（-40℃至+125℃）的工作溫度範圍選項。

MR25H10CDF特點

•沒有寫延遲

•無限制寫耐力

•資料保留超過20年

•電源損耗的自動資料保護

•塊防寫

•快速，簡單的SPI介面，最高速度為40MHz時鐘速率

•2。7至3。6伏電源範圍

•低電流睡眠模式

•工業溫度

•提供Small Flag 8-DFN RoHS相容封裝

•直接更換序列EEPROM，Flash，Feram

•AEC-Q100等級1選項

MRAM是一種利用電子自旋來儲存資訊的儲存技術。everspin MRAM 具有成為通用儲存器的潛力，能夠將儲存器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。MRAM 可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下執行，並且可以防篡改。這使得 MRAM 適用於汽車、工業、軍事和太空應用。