MRAM是一種利用電子自旋來儲存資訊的儲存技術。MRAM具有成為通用儲存器的潛力，能夠將儲存器的密度與SRAM的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下執行，並且可以防篡改。這使得MRAM適用於汽車、工業、軍事和太空應用。
下面介紹一款Everspin非易失性256Kb
串列埠mram
儲存器MR25H256ACDF。
MR25H256ACDF是一個串列埠MRAM，記憶體陣列邏輯組織為32Kx8，使用序列外圍介面（SPI）的片選（CS）、序列輸入（SI）、序列輸出（SO）和序列時鐘（SCK）四個引腳介面公共汽車。序列MRAM實現了當今SPIEEPROM和快閃記憶體元件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些元件並在共享SPI總線上進行互操作。與可用的序列儲存器替代品相比，序列MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的資料保留。MR25H256ACDF已釋出量產，推薦用於所有新設計。關於更多產品資訊可諮詢everspin代理，同時為客戶提供產品相關技術支援。
MR25H256ACDF
特徵
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•資料保留超過20年
•斷電時自動資料保護
•塊防寫
•快速、簡單的SPI介面，時鐘速率高達40MHz
•2。7至3。6伏電源範圍
•低電流睡眠模式
•工業和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS相容封裝。
•直接替代序列EEPROM、快閃記憶體、FeRAM
•工業級和AEC-Q1001級和3級選項
•溼度敏感度MSL-3
電氣規格
該裝置包含保護輸入免受高靜態電壓或電場損壞的電路；但是，建議採取正常預防措施，避免將任何高於最大額定電壓的電壓施加到這些高阻抗（Hi-Z）電路上。
該裝置還包含對外部磁場的保護。應採取預防措施以避免施加比最大額定值中規定的磁場強度更強的任何磁場。
