中國半導體領域近日再度傳來好訊息。據觀察者網6月22日援引國內巨頭紫光集團最新訊息，總投資240億美元的長江儲存國家儲存器基地，其二期（土建）專案目前已在武漢東湖高新區開工，規劃每月生產20萬片儲存晶片產品，達產後與一期專案合計月產能將達30萬片。這也意味著，中國將在儲存晶片領域進一步降低對外依存度。

據悉，長江儲存國家儲存器基地專案分兩期建設3D NAND快閃記憶體晶片工廠，其中，專案一期目前已實現32層、64層儲存晶片產品的穩定量產。不只如此，在64層3D NAND快閃記憶體量產7個月後，長江儲存今年4月還宣佈新的研發進展——跳過96層，成功研製出業內已知型號產品中最高單位面積儲存密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量的128層快閃記憶體。

有機構就預計，此舉將讓中國與美日韓晶片巨頭的技術差距縮小1到2年，實現彎道超車。另外，有業內人士還指出，基於長江儲存一期專案的突破，屆時其全球佔率將達到5%左右。

實際上，長江儲存的突破對我國相關行業也存在著巨大的利好。儲存器是資訊系統的基礎核心晶片，也是中國進口金額最大的積體電路產品，但近些年，國際市場記憶體、固態硬碟、顯示卡價格不斷上漲，原因在於儲存晶片掌握在少數國外廠家手中。

去年5月，有外媒就曾表示，長江儲存進入64層快閃記憶體市場的腳步已經勢不可擋，在其大規模生產之後，2020年全球64層3D NAND市場的競爭無疑將變得更加激烈，對於美日韓的晶片巨頭來說，其價格預計也將變得“難看”。換句話說，儲存晶片國產化將有利於降低國內半導體產品的成本、擺脫對外依賴，並進一步打破美日韓的壟斷。