一、半導體清洗用超純水裝置概述

半導體清洗用超純水裝置主要應用在半導體清洗行業，該裝置採用先進的反滲透技術和ED1技術，保證裝置的質量和出水水質。該裝置整體採用先進的不鏽鋼材質，抗腐蝕能力強，同時也不會出現生鏽問題，質量可靠，受到使用者的一致好評。

二、半導體清洗用超純水裝置工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰／陽離子交換膜之間形成EDI單元，EDI工作原理如下圖所示，EDI元件中將一定數量的EDI單元間用網狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設定陰／陽電極。在直流電的推動下，透過淡水室水流中的陰陽離子分

別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室面在淡水室中去除。而透過濃水室的水將離子帶出系統，成為濃水，ED1裝置一般以反滲透（RO）純水作為EDI給水．RO純水電導率一般是40-2μ S/cm（25℃）。

EDI純水電阻率可以高達18MQ。cm（25℃），但是根據去離子水用途和系統配置設定，EDI純水適用於製備電阻率要求在

1-18。 2MΩ。cm（25℃）的純水。

三、半導體清洗用超純水裝置製備工藝

1、預處理系統→反滲透系統一中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點。（≥18MΩ。C0（傳統工藝）

2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→ED1裝置→純化水

箱一辣水系一紫外線殺菌器一隨光溉床→0。 2或0。 5μ=精密過濾器→用水點。（＊18MΩ。CM（最新工藝）

3、預處理→一級反滲透→加藥機（PH調節）→中間水箱→第

二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外

線殺菌器→0。 2或0。 5μm精密過濾器→用水點。（≥17MΩ。00（最新工藝）

4、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置一純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0。 2或0。 5μ=精密過濾器→用水點。

（≥15Ω。00（最新工藝）

5、預處理系統一反涉透系統一中間水箱→純水泵一相混合

床→精混合床→紫外線殺菌器一精密過濾器一用水點。（≥15MΩ。CD（傳統工藝）