動態ram是靠MOS電路中的柵極電容來記憶資訊的...

時間：2022-08-12標籤：RAM SRAM CPU 儲存單元 電容 

92公斤並不算輕，不過64鈦+變形管讓這臺車只有 一個字“硬”，是這8部車裡剛性最強最斯巴達的一臺，我穿一般褲子騎紅狗媽+純Carbon面的座墊都覺得還ok，但是這臺Lynskey車店外 慢速試騎遇坑洞，真的頂到骨頭內臟都有感，騎一圈馬上回...

時間：2021-02-01標籤：輪組 SRAM Lynskey Lightweight 12 

它由第12個齒輪來增加飛輪的範圍，SRAM公路飛輪從較小的10T開始（這需要使用XDR花鼓主體）...

時間：2022-02-21標籤：飛輪 11 SRAM 10 Shimano 

（4）電擦除可改寫ROM（EEPROM或E 2 PROM）這是一種用電訊號程式設計也用電訊號擦除的ROM晶片，它可以透過讀寫操作進行逐個儲存單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM儲存器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些...

時間：2021-10-14標籤：RAM ROM 儲存器 晶片 SRAM 

ESP32可透過快取記憶體訪問外部QSPIflash和SRAM：外部flash可以同時對映到CPU指令和只讀資料空間...

時間：2022-01-10標籤：ESP32 CPU 對映 訪問 SRAM 

之所以會發生這種情況，很大程度上是因為這些新興的儲存器將佔領當今主流技術（NOR快閃記憶體，SRAM和DRAM）的既有市場份額...

時間：2020-08-06標籤：SRAM 儲存器 DRAM RAM 電晶體 

FRAM就是鐵電儲存器，一種隨機存取儲存器，擁有SRAM、DRAM級別的讀取速度和壽命，而且是非易失性的，斷電不丟失資料...

時間：2021-11-17標籤：FRAM 富士通 SRAM 壽命 記憶體 

MM32F3270不同封裝晶片與SRAM介面MM32F3270系列MCU因為封裝的原因，導致只有部分MCU產品可以透過硬體複用出全部或部分的FSMC介面的相關GPIO，才能支援外接SRAM儲存器擴充套件儲存空間...

時間：2021-11-17標籤：SRAM MM32F3270 複用 介面 MCU 

血液透析機使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產品是因為MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入週期和讀取週期的高速...

時間：2021-11-10標籤：MRAM 非易 失性 Everspin SRAM 

SRAM是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料，就是快取記憶體或者說是二級快取...

時間：2021-10-18標籤：SRAM EMI502NF08VM 08I 儲存 輸出 

此款國產SPI SRAM儲存器只需要微控制器支援SPI介面或者Quad SPI介面就可實現RAM資源外擴，非常適合於各類智慧硬體的應用如影象處理、資料加密、語音處理、流媒體應用、資料採集、通訊資料處理等...

時間：2021-10-29標籤：SRAM SPI 儲存器 記憶體儲器 介面 

在以下事件期間，所有I/O（I/O0到I/O15）都處於高阻抗狀態：■裝置被取消選擇（CEHIGH）■控制訊號（OE、BLE、BHE）無效藉助片上硬體ECC（糾錯碼），賽普拉斯的SRAM可以線上執行所有與ECC相關的功能，無需干預...

時間：2021-06-08標籤：SRAM 使能 非同步 O0 O15 

MCU通常是基於SRAM和快閃記憶體的混合使用，MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash儲存器和256KB SRAM，在某些應用設計中會出現內建RAM不足的情況，需要對STM32微控制器進行外擴RAM的處理，可以選擇更換更高RAM容量...

時間：2021-10-22標籤：SRAM 晶片 儲存器 微控制器 讀取 

8Mbit國產低功耗SRAM晶片EMI508NL08VM-55IT採用EMI先進的全CMOS工藝技術製造...

時間：2021-07-15標籤：封裝 SRAM 使能 電壓 低功耗 

PSRAM就是偽SRAM，內部的記憶體顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的介面跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣複雜的控制器和重新整理機制，PSRAM的介面跟SRAM的介面是一樣的...

時間：2021-04-08標籤：SRAM PSRAM 介面 SDRAM 重新整理 

在 SRAM AXS 電池（在前叉和後膽中）斷電之前，Flight Attendant 的安全模式會自動將避震系統調到全開的檔位，這樣您就可以安全騎回家充電...

時間：2021-10-05標籤：flight Attendant AXS SRAM 前叉 

靈動微MM32F0010A6T採用核心M3的高效能32位微控制器，工作頻率最高可達48兆赫茲，內建高速儲存器（快閃記憶體16KB，SRAM為2KB），具備豐富的I/O埠和外設連線到外部匯流排...

時間：2021-09-28標籤：內建 低功耗 16 MM32F0010A6T SRAM 

EB5REB1的資料速率達125Kb/s、500Kb/s、1Mb/s和2Mb/s，有長距離S2和S8廣告擴充套件，跳頻CSA#1和CSA#2，內嵌48MHz 32bit RISC MCU處理器，具有8KB快取和2線SWD除錯介面，並嵌入式5...

時間：2021-08-31標籤：低功耗 藍芽 EB5REB1 偉凌創 SRAM 

·能夠在突然斷電時以寫入方式儲存資料·可以進行頻繁的資料記錄·能夠延長電池供電裝置的電池壽命總成本降低在工廠對每個產品進行引數寫入的情況下，鐵電儲存器有助於降低製造成本，因為與EEPROM和快閃記憶體相比，FRAM可以縮短寫入時間...

時間：2021-07-15標籤：FRAM EEPROM 電池 寫入 SRAM 

0規範•資料速率125Kb/s、500Kb/s、1Mb/s和2Mb/s•長距離S2和S8廣告擴充套件•跳頻CSA#1和CSA#2◆內嵌48MHz 32bit RISC MCU處理器，具有8KB快取和2線SWD除錯介面◆嵌入式512KB FL...

時間：2021-08-24標籤：低功耗 藍芽 EB5REB1 BLE5 SRAM