今日熱點

1。 鎧俠3D快閃記憶體材料遭汙染，影響日兩廠生產

2。 日經：PC需求弱，DRAM價格轉跌

3。 三星將在年底推200+層NAND快閃記憶體

4。 矽晶圓供應持續吃緊！勝高2026年產能已售罄

5。 東芝公佈HDD路線圖，最快2023年推出30TB硬碟

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鎧俠3D快閃記憶體材料遭汙染，影響日兩廠生產

綜合鎧俠官網、美聯社訊息，由於用於快閃記憶體生產的材料遭汙染，鎧俠在日本的兩家生產工廠的生產受到了影響，目前正努力恢復正常運作。

鎧俠方面表示：自 1 月下旬以來，鎧俠在日本四日市的工廠和北上工廠的部分業務受到影響。推測原因是3D快閃記憶體BiCS FLASH的特定生產過程中含有雜質的元件。目前，鎧俠方面正努力採取措施，爭取早日恢復正常執行。鎧俠預計，其2D NAND快閃記憶體的生產出貨預計不會受到影響，將繼續盡最大努力減少對客戶的影響。

而與鎧俠合資製造快閃記憶體的西部資料則表示，受影響的快閃記憶體高達6。5艾位元組（exabytes）。鑑於生產中斷的嚴重性，預計在不久的將來會看到對 SSD 供應的顯著影響。

西部資料和鎧俠並未提出何時可能恢復生產的具體日期。而晶片從矽晶圓到可應用於電子產品的成品，一般要花大約三個月之久，任何中斷仍將在生產重啟後的幾個月內產生影響。

據悉，四日市廠區有六個工廠，佔地69。4萬平方米，有6300名員工。北上廠區由幾家工廠組成，一個新的K2生產設施正在建設中，將增加136，000平方米的生產空間。

資料顯示，2021年，鎧俠SSD出貨量按容量佔比約8。5%，西部資料佔15。4%。此次事件之前，三星在西安的生產也因Covid限制受到衝擊，所有這些最終都可能導致基於 NAND 的產品短缺。

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日經：PC需求弱，DRAM價格轉跌

據日經新聞報道，DRAM價格再度轉趨走跌，主因宅經濟需求停歇，來自PC的需求走弱，加上晶片短缺、供應鏈混亂導致智慧手機等產品的生產停滯，造成暫緩採購DRAM的動向擴大。

2022年1月份主流品指標性產品DDR4 8Gb批發價為每個3。1美元左右，較前一個月份下滑3%，容量較小的4Gb產品價格為每個2。5美元，較前一個月份下滑3%，皆為6個月來第五度呈現下跌。

關於今後的價格動向，半導體商社表示「因1-3月為季節性淡季，預估需求不大，因此DRAM價格可能將持續緩和下跌」。

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三星將在年底推200+層NAND快閃記憶體

據韓媒BusinessKorea報道，三星電子計劃2021年底量產176層NAND Flash快閃記憶體，但考慮到實際市況，最後決定延後到2022年第一季。但美商儲存大廠美光搶先量產176層NAND Flash快閃記憶體，市場人士預測，三星將加速200層以上NAND Flash快閃記憶體量產步伐，以奪回美光搶走的技術領先頭銜。

預計三星128層單片儲存再疊96層，共推出224層NAND Flash快閃記憶體，與176層產品相較，224層NAND Flash快閃記憶體生產效率和資料傳輸速度可提高30%。

目前除了三星積極佈局200層以上NAND Flash快閃記憶體，其他還有美光和SK海力士也在加速200層以上NAND Flash快閃記憶體開發，預計這將是另一個NAND Flash快閃記憶體的決戰領域。

04 矽晶圓供應持續吃緊！勝高2026年產能已售罄

據彭博社報道，半導體行業矽晶圓的主要供應商Sumco（勝高）表示，其到2026年的產能已經售罄，這表明矽晶圓的短缺狀況可能在未來幾年都不會緩解。

勝高是為數不多的提供專用矽晶圓的公司之一，該公司在週三公佈財報後表示，其未來五年300毫米矽晶圓產能都被訂滿，目前不接受150毫米和200毫米矽晶圓的長期訂單，但未來幾年需求可能會持續超過供應。

勝高表示，儘管需要長期供應的客戶需求強勁，但今年根本無法擴大產量。公司已經盡其所能最佳化現有生產線，其全套產品（包括200毫米和300毫米矽晶圓）的供需不平衡是一致的。

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東芝公佈HDD路線圖，最快2023年推出30TB硬碟

日前，東芝在日本舉辦了投資者會議，會中東芝電子元件及儲存裝置株式會社總裁兼執行長Hiroyuki Sato公佈了東芝下一代硬碟的路線圖。為了滿足激增的市場需求，東芝計劃利用其專有的技術，包括FC-MAMR（磁通控制-微波輔助磁記錄）、MAS-MAMR（微波輔助切換-微波輔助磁記錄）和磁片堆疊技術等，到2023財年之際，推出容量達30TB，甚至更高的硬碟。

根據過往公佈的資料，東芝的MAS-MAMR技術將利用微波更大地改變了硬碟介質的矯頑力，使得軌道更窄，進而提高了面積密度。該技術是由昭和電工、TDK和東芝共同開發的，屬於MAMR技術的一部分。