上海荷芯從三星晶圓代工低良率，看靜電對先進位制芯的挑戰與機遇

這幾天新媒體報道韓國三星晶圓代工低良率事件，鬧得沸沸揚揚！最近半導體制程進入3nm節點後，進入撞牆期。狀況嚴重到三星開始“內部徹查”，重點瞄準內部5nm、4nm、3nm製程的良率是否有偽造作假的狀況。三星電子遇到的問題，意味著臺積電也在3奈米或4奈米的代工問題上徘徊，面對極具挑戰的4nm、3nm製程，技術門檻非常高，而當前三星以4nm製程生產的Exynos 2200處理器良率僅35%，先進製程已經進入了無法預測的事故多發區間。上海荷芯靜電市場總監葉如龍在與晶圓清晰裝置廠商交流時得知，據說不僅臺積電、還有中芯公司、華虹等都遇到金屬管改為氟塑膠管產生的靜電損害晶圓良率問題挑戰，目前多種嘗試無解，與荷芯靜電在技術交流推進中。先進封裝企業同樣存在靜電ESD的挑戰。

眾所周知，司空見慣的靜電問題仍然是我們半導體行業一直沒有解決的痛點問題、難點問題。

目前市面上所做的失效分析，90%以上的都是靜電放電所造成。主要表現：一、靜電放電直接作用在晶片上。二、靜電放電干擾了生產的裝置正常執行，或者是干擾了外部電路環境。

晶圓製程越高，靜電對其影響越大。

目前的防靜電措施仍然停留在：接地、防靜電材料耗散、空氣電離中和等。在半導體行業還有降低空氣環境溫溼度、遮蔽。實際上這三種方法本身只是區域性消減靜電而不是消除靜電，

在上海荷芯靜電技術最近的走訪過程中，發現對於半導體裝置的接地、靜電材料的運用、靜電處理方案上還有很大的問題存在，基本上屬於錯誤的做法，因為每個裝置廠家的靜電處理參差不齊與欠缺，加上錯誤的靜電接地、靜電材料的運用、靜電處理方案等，結果可想而知。

錯誤的靜電處理方案：國內封測企業在交付給客戶的感測器晶片中被發現因為靜電吸附導致吸附異物過多，客戶自己提出的方案是在感測器晶片上蓋一層膜。這種方案會遇到需要重新定製機臺而且還不能保證後期機臺執行的穩定性。

錯誤的半導體裝置接地：在半導體廠經常可以看到明顯有接地，還是有ESD靜電打壞的現象發生。這裡面還有一個接地方式與材料選擇應用的問題。

由於靜電產生的複雜性而造成三種方法的互相干擾，從而造成效果的差異非常大。如何系統性防靜電是一個急需解決的課題。

芯業難點痛點靜電ESD挑戰，需要匯聚八仙各顯神通。

上海荷芯靜電技術工程有限公司，是海峽兩岸唯一的第三代靜電處理技術方案公司，尚未發現對標公司，超越第一代、第二代被動式區域性防靜電技術方案，服務面向：晶片設計、晶圓製造、晶片封測、智慧裝備、醫療裝置、靜電環境控制、石化安全防爆等企業。提供靜電診斷、處理方案、認證等服務。

上海荷芯靜電技術工程有限公司與上海聚躍檢測有限公司，在2022年2月中旬再次碰頭協商，計劃聯合有關企業、科研院所等，倡議發起籌建積體電路ESD聯盟。緣起於2020年12月無錫的中國積體電路設計年會，發現有十幾家檢測與失效分析單位參加展覽，其中有四五家還作演講，大家基本都涉及靜電ESD檢測與ESD失效分析。荷芯靜電是國內唯一作產線裝置靜電處理的專業公司，國際上也沒發現對標公司。與其大家各自為戰，不如大家共建積體電路ESD聯盟，舉辦積體電路靜電ESD高峰論壇，協同擴大行業影響力，再借勢ESD聯盟賦能各自企業。

對於此事，大家咋看？？歡迎發表評論

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