摘要：3月22日訊息，據臺灣媒體報道，國產DRAM晶片廠商合肥長鑫儲存將在今年二季度試產17nm工藝的DRAM記憶體晶片，並尋求擴大產能。

3月22日訊息，據臺灣媒體報道，國產DRAM晶片廠商合肥長鑫儲存將在今年二季度試產17nm工藝的DDR5記憶體晶片，並尋求擴大產能。

報道稱，目前合肥長鑫的17nm工藝DDR5記憶體晶片良率已經達到了40%，預計在今年二季度試產，出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低，不過長鑫儲存將會在接下來的時間裡持續改進良率。

根據此前長鑫儲存公佈的路線圖也顯示，長鑫儲存目前正計劃推出17nm DDR5/LPDDR5，後續還將推出10nm製程的產品。

此外，在產能方面，此前長鑫儲存在2020年、2021年分別實現了4。5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的產能目標。2022年的產能目標是12萬片晶圓/月，未來的產能目標是30萬片晶圓/月。

根據TrendForce預測，2021年底全球記憶體產能將達到150萬晶圓/月，三星產能超過55。5萬晶圓/月，SK海力士是36萬片晶圓/月，美光也有35。5萬晶圓/月。顯然，目前長鑫儲存在DRAM晶片產能上與一線的大廠仍有非常大的差距。

此外，在技術水平上，三星已經量產了14nm EUV工藝的LPDDR5記憶體，長鑫儲存的17nm工藝DDR5/LPDDR5記憶體晶片與其還有一兩代的技術差距，不過這並不算什麼大問題，國產記憶體的主要目標依然是提高良率，加快產能提升。

資料顯示，長鑫儲存作為一體化儲存器製造商，專業從事動態隨機存取儲存晶片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠並投產，2018年研發國內首個8Gb DDR4晶片，2019年三季度成功量產19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X晶片，目前已經獲得了威剛科技、江波龍FORESEE等眾多儲存品牌廠商的採用。

編輯：芯智訊-浪客劍