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科技:半導體裝備利器最低5nm工藝成功研發

據半導體行業相關報道,日前位於河南鄭州的中國長城旗下的鄭州軌道交通資訊科技研究院成功研發了支援超薄晶圓全切工藝的全自動12寸晶圓鐳射開槽裝置,可支援5nm DBG工藝。

據官方介紹,該裝置除了具備常規鐳射開槽功能之外,還支援5nm DBG工藝、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圓廠IGBT工藝端相關製程和TAIKO超薄環切等各種高精端工藝,為國產化半導體產業鏈再添“利器”。

據悉,該裝置採用的模組化設計,可支援不同脈寬(納秒、皮秒、飛秒)鐳射器。

自主研發的光學系統,可實現光斑寬度及長度連續可調,配合超高精度運動控制平臺等技術,與鐳射隱切裝置完美結合、相輔相成,

解決了鐳射隱切裝置對錶面材質、厚度、晶向、電阻率的限制,真正實現了工藝的全相容,對有效控制產品破損率、提高晶片良率有著極大幫助。

科技:半導體裝備利器最低5nm工藝成功研發

高階智慧裝備是國之重器,是製造業的基石,半導體工業在實現中國製造由大到強的發展中肩負重要使命。

據介紹,鄭州軌交院的研發團隊與國內著名高校的知名專家攻克技術難題,取得了國產開槽裝置在5nm先進製程以及超薄工藝(處理器等產品)的重大突破,在晶圓加工穩定性、鐳射使用效率、產品切割質量等方面均達到了新的高度。

目前,晶片設計越來越小,要求裝置精度越來越高,該裝置的成功研製不僅標誌著中國長城在晶圓鐳射切割領域已經擁有強大的技術研發實力,也將助力封裝廠家提升工藝水平、開展新工藝,助力晶片設計公司設計出更為先進製程的晶片,對進一步提高我國智慧裝備製造能力具有里程碑式的意義。

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