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【簡訊】​Intel自曝桌面獨立顯示卡;realme Q5規格曝光…

Intel自曝桌面獨立顯示卡

Intel Arc銳炫獨立顯示卡終於釋出了,但首批只有低端的移動版,桌面版還得再等等。

日前,Intel預告了一款限量版的桌面顯示卡,雙風扇,雙插槽,LOGO信仰燈,三個DP和一個HDMI介面,預計滿血32個Xe核心、16GB GDDR6視訊記憶體。只是不知道“限量”在哪裡。

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今天,Intel負責圖形技術創新的院士Tom Peterson在接受外媒採訪時,有意無意地露出了一款桌面顯示卡的區域性,可以看到PCIe x16介面金手指,以及三個8針輔助供電介面。

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三個8針介面意味著最大450W供電能力,難道Intel桌面顯示卡的功耗會如此之高?這個還不好說,但曝光的這個顯然還是工程樣品甚至是評估樣品,可以看到三個8針介面並沒有挨在一起,而是彼此有很大空間。

之前預告的限量版渲染圖上看不到供電介面,而早先曝光的樣卡也只用了8+6針。

Intel已經公佈了ATX 3。0電源規範,單個16針介面即可供電最多600W,為何還要用傳統的三個8針,可能是早期樣品的緣故吧。

realme Q5規格曝光

日前,realme副總裁徐起已經在微博暗示,realme Q5系列即將登場。

今天,知名爆料博主搶先一步爆料,透露realme Q5系列將搭載80W旗艦級閃充,30分鐘就能充滿5000mAh,回血速度非常快。

據此前訊息,realme Q5系列目前已經入網了,且工信部已經公佈出了該機的證件照和基本引數資訊。其中顯示,該機將傳承今年realme家族式設計,採用“大眼”的矩陣雙攝/三攝方案,邊框似乎為直角設計。

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引數資訊上顯示,realme Q5系列核心將搭載高通驍龍870旗艦處理器,最高配備12GB記憶體、512GB儲存,這個配置在Q系列對應的千元檔十分難得,再配合上80W閃充,妥妥的千元爆款機型了。

其他方面,realme Q5系列高配版配備了後置6400萬+800萬+200萬三攝,電池為額定4880mAh(雙電芯),機身厚度為8。65mm,重量為194。5g,螢幕尺寸為6。62英寸,材質為AMOLED。

realme Q5系列低配版則是1300萬+200萬後置雙攝,電池為額定4880mAh,機身厚度為8。1mm,重量為190g。

河南研究院成功研發半導體裝備利器

據半導體行業觀察報道,日前位於河南鄭州的中國長城旗下的鄭州軌道交通資訊科技研究院成功研發了支援超薄晶圓全切工藝的全自動12寸晶圓鐳射開槽裝置,可支援5nm DBG工藝。

據官方介紹,該裝置除了具備常規鐳射開槽功能之外,還支援5nm DBG工藝、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圓廠IGBT工藝端相關製程和TAIKO超薄環切等各種高精端工藝,為國產化半導體產業鏈再添“利器”。

據悉,該裝置採用的模組化設計,可支援不同脈寬(納秒、皮秒、飛秒)鐳射器。

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自主研發的光學系統,可實現光斑寬度及長度連續可調,配合超高精度運動控制平臺等技術,與鐳射隱切裝置完美結合、相輔相成,解決了鐳射隱切裝置對錶面材質、厚度、晶向、電阻率的限制,真正實現了工藝的全相容,對有效控制產品破損率、提高晶片良率有著極大幫助。

據介紹,鄭州軌交院的研發團隊與國內著名高校的知名專家攻克技術難題,取得了國產開槽裝置在5nm先進製程以及超薄工藝(處理器等產品)的重大突破,在晶圓加工穩定性、鐳射使用效率、產品切割質量等方面均達到了新的高度。

OPPO K10 Pro詳細規格洩露

今天,OPPO新機K10 Pro的詳細規格被曝光,一同放出的還有手機的“證件照”。

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從放出的資訊來看,OPPO K10 Pro將搭載高通驍龍888移動平臺,採用6。62英寸的1080P E4材質高刷OLED屏。

攝影上,它前置一顆1600萬畫素單攝,後置則為5000萬+800萬+200萬的鏡頭搭配。

續航方面,OPPO K10 Pro的電池採用5000mAh雙電芯設計,並支援80W快充;三圍尺寸上,162。7×75。7×8。68mm,重量196g。

從照片來看,OPPO K10 Pro的後殼整體採用磨砂材質,後置鏡頭模組的部分為亮面,在排布規則上有些類似realme的GT 2,前攝則疑似採用了側邊挖孔。

值得一提的是,昨天該博主曾爆料OPPO將推出一款採用驍龍888處理器的中端產品,該產品的大部分引數都與今天曝光的K10 Pro相符。

SK海力士與Solidigm推出企業級固態硬碟P5530

去年末,英特爾發出公告,確認已收到SK海力士(SK Hynix)第一階段交易所支付的70億美元,SK海力士購入了包括英特爾位於中國大連的工廠在內的NAND快閃記憶體業務。隨後SK海力士成立了一間名為Solidigm的子公司,將收購英特爾的相關儲存業務轉移了過去。Solidigm的總部設於美國加利福利亞州的聖何塞,CEO則是由英特爾資深員工Rob Crooke擔任。

近日,SK海力士宣佈與Solidigm進行首次技術與產品的合作,將SK海力士的128層堆疊的4D NAND快閃記憶體與Solidigm的SSD主控和韌體專業知識相結合,推出雙方第一款合作產品:新型企業級固態硬碟(eSSD)P5530。該款產品支援PCIe 4。0介面,提供了1TB、2TB和4TB容量,並針對特定資料中心用例和目標部署的效能進行了最佳化。

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SK海力士表示,未來將會和Solidigm一起最佳化雙方公司的運營,創造協同效應和合作夥伴關係。SK海力士期望透過與Solidigm的合作,將其NAND快閃記憶體業務的競爭力提升至與其DRAM業務相同的程度。

Redmi Note 12入網

今天,型號為22041216UC和22041216C的小米新機獲得了入網許可,據爆料,這兩款新機是Redmi Note 12系列。

此前小米集團中國區總裁、Redmi品牌總經理盧偉冰確認,Redmi Note系列會半年一迭代,分別定位是“效能小旗艦”和“體驗小旗艦”。去年下半年,Redmi已經推出了Note 11系列,主打的是“體驗小旗艦”,那麼今年上半年要釋出的Redmi Note 12系列定位是“效能小旗艦”。

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根據爆料,Redmi Note 12系列搭載聯發科高效能處理器,不是天璣8100。由此猜測,Redmi Note 12系列搭載的可能是聯發科天璣1300或者聯發科天璣8000晶片。

其中天璣1300基於臺積電6nm工藝製程打造,八核心CPU包含4個Cortex-A78,其中1個Cortex-A78作為超大核主頻高達3。0GHz,還有4個主頻為2。0GHz的Cortex A55核心,GPU為ARM Mali-G77 MC9。

而天璣8000是天璣8100的降頻版本,基於臺積電5nm工藝製程打造,由四顆Cortex A78大核+四顆Cortex A55小核組成,大核主頻為2。75GHz(天璣8100的大核主頻為2。85GHz)。

值得注意的是,Redmi Note 12系列的工業設計也是一大看點。有訊息稱,Redmi Note 12系列工業設計極具辨識度,而且效能強悍、續航持久。

該機有可能會在5月份前後登場。