在半導體行業，由於我國起步相對比較晚，所以在很多領域都受到了一些限制，這些領域包括核心原材料、先進光刻機和EDA工具等，不過在某些領域，我們透過數年努力已經取得了巨大突破。

我們平時使用的手機、電腦等裝置，核心元件就包括快閃記憶體，但過去整個市場幾乎全部被三星、鎂光、鎧俠、西部資料等外企所壟斷，他們也掌握了快閃記憶體市場的議價權。

很顯然，這對於中國科技公司來說絕不是什麼好事，因為

過度壟斷的市場就註定會任人宰割，所以他們經常會宣佈漲價，會直接對下游廠商造成影響。

不過在國家層面的召喚下，這幾年我國在快閃記憶體晶片這塊，已經取得了巨大突破，2016年成立的長江儲存通過幾年努力，讓原本落後的國產快閃記憶體實現了跨越。

據瞭解，長江儲存在成立後的次年就完成了32層NAND快閃記憶體的小批次生產，隨後又在

2019年順利攻克了64層NAND快閃記憶體的批次生產，

打破了快閃記憶體晶片被外企壟斷的困境。

更為關鍵的是，

長江儲存自創的X-tacking架構，可以在開發產品時將時間縮短90天，產品生產週期可以縮短20%，單位面積儲存密度則可以達到競品的96層3D NAND，速度為3.0Gbps。

正因為這樣，長江儲存這兩年已經成功地在快閃記憶體晶片領域趕上了行業龍頭，國內企業也不必擔心國外企業的壟斷行為了。

值得一提的是，長江儲存在技術路線上

直接跳過了96層，將從32層直升到128層，而且128層3D NAND已經實現了大規模量產，

據傳該公司產品已透過蘋果公司的驗證，預計最早將於今年5月出貨。

4月19日，長江儲存正式宣佈推出UFS 3.1通用快閃記憶體——UC023，這是長江儲存打造的一款旗艦級高速快閃記憶體晶片，

該產品將廣泛適用於高階旗艦智慧手機、平板電腦、AR/VR等智慧終端領域

按照官方介紹，

UC023採用全新升級的Xtacking 2.0架構的TLC 3D快閃記憶體顆粒，

產品在設計和工藝上均得到了進一步改善和最佳化，作為旗艦級UFS 3。1快閃記憶體，它還具備眾多特點。

首先是搭載主機碎片化整理技術，最佳化資料處理操作能夠節省更多的儲存空間，並引入隨機寫效能最佳化機制，

可以將寫入速度提升至230K IOPS，令多個應用實現自由切換。

其次是在發揮極致讀寫效能的同時，還能夠保證超低功耗執行，

即便是線上觀看8K超清影片也不會出現卡頓，可以讓裝置待機時間明顯增長。

最後是可提供定製化產品開發服務，並向客戶提供及時、專業、高效的技術支援，

推出128/256/512GB三款儲存容量，

可滿足主流市場需求。

從長江儲存推出的UFS 3。1快閃記憶體來看，這無疑是進一步打破了國外企業在高階快閃記憶體市場上的壟斷地位，屆時旗艦智慧手機、平板裝置也能夠用上國產UFS 3。1快閃記憶體。

據瞭解，長江儲存的UFS 3。1快閃記憶體

連續讀取速度可達2000MB/s，寫入速度看容量，從950MB/s到1250MB/s都有。

要知道三星的512GB UFS 3。1快閃記憶體，讀取速度為2100MB/s，寫入速度1200MB/s，這意味著長江儲存的產品在寫入速度上還要略勝一籌。

簡單來說，

雖然長江儲存的UFS 3.1快閃記憶體推出的時間稍晚一些，但效能還是很有優勢的，完全不輸三星、鎂光等公司的產品，徹底打破了國外企業的壟斷。

未來不僅國產手機可以使用長江儲存的UFS 3。1快閃記憶體，像蘋果等廠商也同樣有可能採購國產快閃記憶體，只要我們穩步發展，相信技術難題都能被逐一攻克。對此你怎麼看呢，歡迎評論、點贊、分享。