摘要：5月18日訊息，據臺灣《電子時報》援引訊息人士的話報道稱，長江儲存最近已向一些客戶交付了其自主研發的192層3D NAND快閃記憶體的樣品，預計將在今年年底前正式推出相應產品。

5月18日訊息，據臺灣《電子時報》援引訊息人士的話報道稱，長江儲存最近已向一些客戶交付了其自主研發的192層3D NAND快閃記憶體的樣品，預計將在今年年底前正式推出相應產品。

上述訊息人士表示，順利推出192層3D NAND快閃記憶體晶片，是長江儲存的一個里程碑。該公司正努力在NAND技術上追趕領先的韓國及美國競爭對手。

訊息人士稱，目前長江儲存的128層3D NAND工藝良率已改善至令人滿意的水平，長江儲存也將月產量擴大至10萬片晶圓。該公司將很快完成其總部位於武漢的工廠二期設施的建設，裝置入駐預計將在今年晚些時候啟動。到2023年底，長江儲存月產量可能超過20萬片，全球市場份額有望達到7～8%。

值得注意的是，近日，儲存晶片大廠美光（Micron）釋出了業界首個 232 層堆疊的 3DNAND Flash晶片，並計劃將這款 232 層堆疊 3D NAND Flash晶片應用於包括固態硬碟等產品上，預計在 2022 年底左右開始量產，並將在2023年推出的新款SSD中使用。此外，三星電子預計也將在2022年下半年推出200層以上3D NAND快閃記憶體。

資料顯示，長江儲存成立於2016年7月，由紫光集團、國家積體電路產業投資基金、湖北省積體電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建成立。據統計，長江儲存總投資約1600億元。

2016年12月，以長江儲存為主體的國家儲存器基地正式開工建設，其中包括3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，預計專案建成後總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

依託武漢新芯已有的12英寸先進積體電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，長江儲存已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND快閃記憶體晶片。而隨著2018年長江儲存的32層NAND Flash的量產，國產快閃記憶體晶片終於實現了重大突破。不過，由於該技術與國際主流技術相差較大，所以並未在市場獲得成功。

2019年9月長江儲存正式宣佈，成功量產基於自研的Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。據長江儲存介紹，該快閃記憶體滿足固態硬碟、嵌入式儲存等主流市場應用需求，與目前業界已上市的64/72層3D NAND快閃記憶體相比，其擁有同代產品中更高儲存密度。

隨後長江儲存的64層256Gb TLC 3D NAND快閃記憶體還成功打入了華為Mate40系列的供應鏈。

為了進一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距，長江儲存跳過了96層，直接進行了128層3D NAND Flash的研發。

2020年4月13日，長江儲存宣佈其128層QLC 3D NAND 快閃記憶體（型號：X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端儲存產品上透過驗證。

據介紹，長江儲存X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND快閃記憶體，擁有業內已知型號產品中最高單位面積儲存密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 快閃記憶體晶片容量。此次同時釋出的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格快閃記憶體晶片（型號：X2-9060），單顆容量512Gb（64GB），以滿足不同應用場景的需求。

2020年8月，長江儲存又推出自有儲存品牌“致鈦”，隨後推出了一系列自有品牌SSD產品，並在市場上獲得了不錯的表現。

去年10月，國外權威研究機構Tech Insights對長江儲存的128層TLC 3D快閃記憶體進行了晶片級的拆解，發現其儲存密度達到了目前業界最高的8。48 Gb/mm ，遠高於三星、美光、SK海力士等一線NAND晶片大廠。

今年3月底，業內傳出訊息稱，長江儲存已正式打入蘋果iPhone的NAND Flash供應鏈，為iPhone SE 3供應NAND Flash晶片。

編輯：芯智訊-林子