集微網訊息，2022年08月03日，SK海力士（或‘公司’，www。skhynix。com）於8月3日宣佈成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體。

近日，SK海力士向客戶傳送了238層 512Gb TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND快閃記憶體的樣品，並計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示：“自2020年12月完成176層NAND快閃記憶體研發以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技術的研發。此次238層NAND快閃記憶體在達到業界最高堆疊層數的同時實現了全球最小的面積，其意義更加非凡 。”

* NAND快閃記憶體晶片根據每個單元（Cell）可以儲存的資訊量（位元，bit）可分為SLC（Single Level Cell）、MLC（Multi Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等規格。單元資訊儲存容量越大，意味著單位面積可以儲存的資料越多。

當天，SK海力士在美國聖克拉拉舉行的2022快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit2022）*上首次亮相了238層NAND快閃記憶體新產品。在峰會主題演講中，崔正達SK海力士NAND快閃記憶體開發擔當說道：“基於其4D NAND快閃記憶體技術，SK海力士全球首次成功研發了238層NAND快閃記憶體，進而確保了成本、效能、產品質量等層面的全球領先競爭力。公司將持續創新，並不斷突破技術瓶頸。”

* 快閃記憶體峰會（FMS，Flash Memory Summit）：系每年定期在美國加州聖克拉拉舉辦的全球快閃記憶體晶片領域的最高級別研討會。SK海力士於本次峰會與其NAND快閃記憶體解決方案子公司Solidigm聯合進行了主題演講。

SK海力士在2018年研發的96層NAND快閃記憶體就超越了傳統的3D方式，並匯入了4D方式。為成功研發4D架構的晶片，公司採用了電荷捕獲型技術（CTF，Charge Trap Flash）*和PUC（Peri。 Under Cell）* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。

* 電荷捕獲型技術 （CTF，Charge Trap Flash）

浮柵型（FG，Floating Gate）快閃記憶體技術將電荷儲存在導體（）中，而CTF將電荷儲存在絕緣體（）中，以解決單元間的干擾問題。因此，相比FG技術，CTF可縮小晶片的單元面積，同時提高資料的讀寫效能。

* PUC （Peri Under Cell）

將外圍（Peri。）電路放置在儲存單元的下方， 以最大化生產效率。

238層NAND快閃記憶體成功堆疊更高層數的同時，實現了業界最小的面積。新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的矽晶片生產出更多的晶片，因此相比176層NAND快閃記憶體其生產效率也提高了34%。

此外，238層NAND快閃記憶體的資料傳輸速度為2。4Gbps，相比前一代產品提高了50%，晶片讀取資料時的能源消耗也減少了21%。可以說，SK海力士透過節省晶片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點的進步。

SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用範圍為PC用儲存裝置）供應238層NAND快閃記憶體，隨後將其匯入範圍逐漸延伸至智慧手機和高容量的伺服器SSD等。公司還將於明年釋出1Tb 密度的全新238層NAND快閃記憶體產品，其密度是現有產品的兩倍。