近期，ASML產品營銷總監Mike Lercel向外界分享了EUV（極紫外）光刻機的最新進展。

據瞭解，目前ASML的主力出貨EUV光刻機分別是NXE：3400B和3400C兩款。 目前這兩款機型的數值孔徑（NA）均為0。33，其中更新一款的 3400C 的可用性已經達到 90% 左右。

根據ASML的猜測，到今年年底，NXE：3600D將會開始進行交付。 該裝置的匹配套精準度提升了，在 30mJ/cm2 下的晶圓通量達到 160 片，相比 3400C 提高18%，將會成為未來臺積電和 Samsung 3nm工藝最為主要的裝置。

除此之外，ASML還公佈了未來的三代光刻機研發計劃，瞭解到三款機型的型號分別是NEXT、EXE：5000 和 EXE：5200。 製作工藝從 EXE：5000 為節點，將數值孔徑提高到0。55。

0。55NA 比 0。33NA 有著巨大的提升，包括更高的對比度，影象曝光成本更低等等，是未來發展的趨勢。

由於目前矽片、曝光潔淨室已經逼近物理極限，現在的 5nm/7nm 光刻機變得十分精密，裝置零件多達10萬+零件、體積為 40個貨櫃。 據悉 1nm 的光刻機體積要比現在 3nm 的多出一倍，簡直難以想象。

由於光刻機擁有非常多的零件，需要高精度的裝配，導致光刻機從發貨到配置/培訓的整個流程需要長達兩年時間。 按照這個來參考推算，預計0。55NA 的大規模應用得到2025~2026年了。