在過去的幾十年中，SRAM領域已劃分為兩個不同的產品系列，快速和低功耗，每個產品都有自己的功能，應用程式和價格。使用SRAM的裝置需要它的高速性或低功耗性，但不能同時兼顧兩者。但是人們越來越需要具有低功耗的高效能裝置，以便在依靠行動式電源執行時執行復雜的操作。這種需求由新一代醫療裝置和手持裝置，消費電子產品和通訊系統及工業控制器推動，而這些都由物聯網驅動。

下面介紹一款可相容IS63WV1288DBLL-8TLI的國產SRAM晶片EMI501HB08PM45I。

EMI501HB08PM45I描述

EMI501HB08PM45I非同步低功耗SRAM由EMI先進的全CMOS工藝技術製造。位寬128k x 8bit，支援工業溫度範圍，工作輸出電壓為4。5V〜5。5V，以實現系統的靈活性設計。還支援低資料保留電流的電池備份操作的低資料保留電壓。

EMI501HB08PM45I特徵

•工藝技術：90nm全CMOS

•組織：128k x 8bit

•電源電壓：4。5V〜5。5V

•三種狀態輸出和TTL相容

•標準32SOP。

•工業執行溫度。

低功耗SRAM儲存器，應用於內有電池供電對功耗非常敏感的產品，作為靜態隨機訪問儲存器的一種類別，SRAM作為最重要的半導體儲存器，廣泛地嵌入於高效能微處理器。隨著積體電路製造工藝的不斷提升，儲存器佔據晶片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。