三星電子近日宣佈，開發了業內首款容量達到512GB的DDR5記憶體模組，這是首個基於High-K Metal Gate（HKMG）技術的DDR5記憶體；最高可達7200MHz，能夠滿足超級計算機、人工智慧（AI）和機器學習等要求很高的計算需求。
三星稱，八層TSV結構使512GB容量的DDR5模組成為可能。而HKMG材料將功耗降低了13％，速度比DDR4快一倍。
英特爾副總裁Carolyn Duran確認，三星的新款DDR5記憶體和下一代至強可擴充套件處理器（Sapphire Rapids藍寶石激流）相容。根據路線圖，Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴充套件處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發PCIe 5。0。
三星DDR5利用矽穿孔（TSV）技術，堆疊了八層16Gb DRAM晶片，可提供最大512GB的容量。
三星目前已向客戶提供其DDR5記憶體產品系列的不同變體SKU，以供客戶試用。而對於普通消費者來說，對DDR5的支援要等到下半年的12代酷睿（Alder Lake）和AMD Zen4了。
