石英晶振作為電子產品中必需品，以及大量的使用在各種領域範圍，也出現了各種各樣的問題，比如晶振振盪頻率異常、晶振振盪頻率異常包括無頻率訊號輸出和實際振盪頻率和標稱頻率存在差異，今天要解決的便是如果實際振盪頻率從標稱頻率偏移，則將考慮以下原因。

1、晶體單元的實際驅動電平超過其指定的最大值。

2、實際負載電容與規範中的指定值不同。

3、振盪不正常。

1、晶體單元的實際驅動電平超過其指定的最大值。重要的是壓電石英晶振單元的實際驅動電平在驅動電平規範內，過高的驅動電平可能導致更高的振盪頻率或更大的R1，請參考下面的如何測量驅動電平。

如果要將驅動器級別調低，可以採取以下措施：

措施1：

①要改變阻尼阻力大。

②透過改變阻尼電阻，反相放大器的輸出幅度衰減，實際驅動電平變低。

③透過這種變化，振盪幅度將下降。因此，最好檢查振盪裕度是否超過5倍。

④另外，需要注意振盪幅度不要變得過小。

措施2：

①改變外部負載電容小。

②透過改變外部負載電容，由於振盪電路的高阻抗，實際驅動電平變低。

③在這種情況下，由於負載電容小，石英晶振的實際振盪頻率變高。因此，最好檢查實際振盪頻率是否在想要的頻率範圍內。

2、實際負載電容與規範中的指定值不同

晶體單元的振盪頻率按照其規範中規定的負載電容進行分類。因此，如果實際負載電容與規範中規定的負載電容不同，則實際振盪頻率可能與晶體單元的標稱頻率不同。可以透過以下措施調整此頻率差異。

措施1：

①調整外部負載電容。

②為了改變外部負載電容，實際振盪頻率變低。

③如果外部負載電容很大，請注意振盪裕度會很低。

④透過大的外部負載電容，振盪幅度可能很小。

措施2：

①改變指定不同負載電容的晶振單元。

②為了應用具有大負載電容的晶體單元，實際振盪頻率變高。

③例如：需要30MHz的頻率，並使用規定頻率為30MHz的晶體單元作為負載電容，額定頻率為6pF。

④但是確認實際振盪從30MHz低至30ppm。

⑤實際電路板上的負載電容似乎大於6pF。所以用8pF作為負載電容改變指定30MHz石英晶振單元，透過這種變化，實際振盪頻率從30MHz低至5ppm，可以調整頻率差。

3、振盪不正常

振盪電路可能不在晶體單元的標稱頻率附近工作，它被稱為“不規則振盪”，如果C-MOS逆變器不是非緩衝型，可能會發生這種情況。透過調節阻尼電阻和外部負載電容，可以減少不規則振盪的可能性。為了從根本上解決這個問題，需要應用具有非緩衝型C-MOS逆變器的IC。當發現不規則振盪時，請聯絡IC製造商確認C-MOS逆變器是否為非緩衝型，如果考慮的IC不是非緩衝型，請考慮將IC更換為具有非緩衝型C-MOS逆變器的替代型IC。