iPhone 12系列即將用上5nm工藝的A14處理器，而DRAM記憶體行業依然在打磨10nm級工藝，三星、美光等記憶體製造商已在這一級別上躊躇多年。為什麼沒有7nm級記憶體晶片問世？是改進工藝的收益不夠高還是壓根做不到？

新工藝對DRAM成本影響明顯：

DRAM單元尺寸可使用nF2表達，其中n是一個通常在6到8之間的常數，F是工藝技術特徵尺寸。當n=8時，10nm下的單元面積為8 x （10 x 10）=800平方奈米，如果改用7nm尺寸則這一面積會減少到392平方奈米，節省大約51%的面積。從而可以在同一晶圓內多容納近一倍的DRAM晶片。

實際上上面的例子太理想化了，以某記憶體廠商為例，第一代1xnm級工藝實際相當於17~19nm，第二代1y級工藝相當於14~16nm，一直髮展到第三代1znm級才達到11~13nm，這個過程大約用了四年左右，可謂是舉步維艱。

DRAM臣妾做不到：

DRAM記憶體的設計可以用1T1C來表達，即一個電晶體和一個儲存電荷的電容器。DRAM單元中的電容器必須足夠大以儲存可以測量的電荷。

進一步減少DRAM單元的橫向尺寸（長度和寬度）會使電容功能失效，而降低電容器高度同樣不可行：美光DRAM產品高階總監Debra Bell曾表示，在單元電容器縮放中，高度和橫向尺寸比率存在挑戰。其中一個或兩個太小會導致電容無法發揮它的作用，DRAM記憶體也就無法工作了。

此外，隨著單元尺寸的縮小以及陣列中加入更多的單元，字線和位線的相對長度會增加，並影響將電荷放入電容和沿線移動電荷所需的時間。最終的結果是DRAM記憶體在短期內都無法突破到10nm以下工藝，業界預計至少2025年前都是不可行的。新的突破需要在基礎材料或結構設計上做出重大改變，而這並不是可以一蹴而就的。