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網傳小米澎湃P1晶片並非自研,南芯半導體迴應:訊息不實

IT之家 2 月 8 日訊息,南芯半導體今日發文稱,近日出現了一些關於小米澎湃 P1 的不實傳言。官方現做出迴應。

據介紹,小米澎湃 P1 晶片為小米自研設計、南芯半導體代工(內部代號 SC8561)。這款晶片具備超高壓 4:1 充電架構,實現了 120W 單電芯充電,,支援 1:1、2:1 和 4:1 的轉換模式,所有模式均可雙向導通,可實現有線 120W、無線 50W、無線反充等多種充電功能。

網傳小米澎湃P1晶片並非自研,南芯半導體迴應:訊息不實

今日早些時候,有微博使用者表示小米自研的澎湃 P1 晶片為外部購買的傳聞,針對小米的“自研”工作進行造謠。

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小米在去年 12 月釋出了自研的第三款晶片澎湃 P1。雷軍稱,小米 12 Pro 搭載澎湃 P1 充電晶片,行業首次實現“120W 單電芯”充電技術。

小米現已釋出澎湃 P1 的詳細介紹,官方稱澎湃 P1 填補了 120W 單電芯快充行業空白。

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小米表示,過去的單電芯快充體系中,要把輸入手機的 20V 電壓轉換成可以充入電池的 5V 電壓,需要 5 個不同種電荷泵的串並聯電路。大量的電荷泵和整體串聯的架構會帶來很大的發熱量,實際使用中完全無法做到長時間滿功率執行,更難以做到 120W 高功率快充。

驅動小米 120W 澎湃秒充的核心是兩顆小米自研智慧充電晶片:澎湃 P1。它們接管了傳統的 5 電荷泵複雜結構,將輸入手機的高壓電能,更高效地轉換為可以直充電池的大電流。

小米表示,澎湃 P1 作為業界首個諧振充電晶片,擁有自適應開關頻率的 4:1 超高效率架構,諧振拓撲效率高達 97。5%,非諧振拓撲效率為 96。8%,熱損耗直線下降 30% 。

澎湃 P1 本身承擔了大量的轉換工作:傳統電荷泵只需要兩種工作模式(變壓、直通),而澎湃 P1 需要支援 1:1、2:1 和 4:1 轉換模式,並且所有的模式都需要支援雙向導通,這意味著總共需要 15 種排列組合的模式切換控制 —— 是傳統電荷泵的 7 倍。正向 1:1 模式讓亮屏充電效率更高,正向 2:1 模式可相容更多充電器,正向 4:1 可支援 120W 澎湃秒充,反向 1:2/1:4 模式可支援高功率反向充電。

小米稱,澎湃 P1 也是小米充電效率最高的 4:1 充電晶片,可做到 0。83W / mm 超高功率密度,LDMOS 也達到業界領先超低 1。18mΩmm RSP。而澎湃 P1 晶片內部需要用到三種不同耐壓的 FLY 電容,每顆電容需要獨立的開短路保護電路,而每種工作模式又需要嚴格控制預充電壓,功率管數量接近傳統電荷泵的兩倍。並且因為拓撲設計和功能複雜度的提升,每片澎湃 P1 在出廠時都需要透過 2500 多項測試,遠高於傳統電荷泵。

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IT之家瞭解到,即將在 12 月 28 日釋出的小米 12 Pro 是第一款搭載澎湃 P1 的智慧手機,它支援有線 120W 澎湃秒充、50W 無線秒充和 10W 無線反向充電。小米表示,小米 12 Pro 的 120W 澎湃秒充技術擁有兩擋模式:低溫模式,“溫度僅 37℃,體溫般舒適”;疾速模式,“一杯咖啡的時間疾速滿電”。