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繞開ASML光刻機,功耗降低50倍,國產晶片迎來超車新機遇

繞開ASML光刻機,功耗降低50倍,國產晶片迎來超車新機遇

文/Dong 稽核/子揚 校正/知秋

隨著摩爾定律的逐漸失效以及矽基晶片的發展逼近極限,現如今全球的各大晶片廠商開始尋找晶片行業發展的新方向。

其中,碳基晶片被業內人士看作未來將取代矽基晶片的重要產品。

繞開ASML光刻機,功耗降低50倍,國產晶片迎來超車新機遇

功耗降低

50倍

業內資料顯示:將奈米碳作為材料製造的電晶體,在實驗室環境下,奈米碳電晶體的功耗表現要比矽電晶體優秀5倍。

此外,

碳基積體電路的綜合功耗表現要比現下的矽基積體電路降低約

50倍。

值得一提的是,

碳基晶片的製造除了功耗較低的優勢之外,還具備製造成本較低等先天的優勢。

同時,在碳基晶片的製造方面,依舊可以延續當下矽基晶片所需要的製造裝置。或者更準確點說,

相同工藝製程的碳基晶片與矽基晶片相比較,碳基晶片對於製造所需要的裝置要求更低。

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繞開ASML光刻機

眾所周知,我國晶片被外資卡脖子的重要原因並不是我國相關晶片企業在晶片設計方面的落後,而是缺乏晶片製造的關鍵裝置——EUV光刻機。

然而,業內人士表示,

碳基晶片問世之後,或許將繞開

ASML的EUV光刻機。

資料顯示:現如今市面上的光刻技術分為DUV技術以及EUV技術。其中,

DUV光刻機可以實現25nm的晶片工藝製程,即便是英特爾憑藉自身的雙工作臺模式,利用DUV光刻機也不過只能夠達到10nm工藝製程;10nm以下的晶片製造工藝,依舊需要藉助EUV光刻機才能夠實現。

然而,

在碳基晶片的製造過程中,

DUV光刻機就可以滿足5nm晶片製造工藝的要求。

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國產晶片迎來超車新機遇

因此,對於我國的晶片製造企業來說,未來在碳基晶片的不斷髮展中,或許將借這一機會在不依賴荷蘭ASML進口EUV光刻機的前提之下,成功發展先進的晶片工藝製程。

不過,

從碳基晶片目前的發展情況來看,還處於實驗室研究的初級階段,因此,我國想要切實實現碳基晶片的量產,還需要很長的一段路要走。

此外,雖然說碳基晶片的製造成本較低,但是研究投入卻並不低。業內人士表示,

想要保證碳基晶片完成量產,碳基材料的研究投入需要達到幾十億元。

由於碳基晶片在前期研究時的回報比並不明朗,所以想要發展碳基晶片,政府的相關投入以及支援在這個過程中就顯得十分重要。

繞開ASML光刻機,功耗降低50倍,國產晶片迎來超車新機遇

寫在最後

根據新華網透露的訊息顯示:

碳基材料已經被列入

“十四五”原材料工業發展規劃之中。

倘若後續我國在碳基材料方面可以取得突破性進展,未來我國晶片領域的發展將找到新的發展增長點,國產晶片也正式迎來彎道超車的新機遇。

你看好碳基晶片未來的發展前景嗎?