與邏輯工藝一樣，記憶體晶片工藝在進入20nm節點之後也陷入了難以製造的境地，三星作為全球記憶體一哥雖然走在了技術開發的前列，但是在新一代記憶體研發上也面臨困難，最新訊息稱13nm工藝的記憶體已經宣告失利。

簡單說下，記憶體工藝在20nm節點之後就有不同斷代方法，之前用的是1x、1y、1z，後來又有了1a、1b、1c工藝，不過三星、SK海力士及美光三大記憶體巨頭的實際工藝也不完全是這樣，有時公佈的還是數字+nm命名的，反正記憶體工藝命名是有些混亂的。

總體來說，三星在DRAM工藝上是最先進的，2020年率先研發成功1z工藝記憶體，大概是15nm級別的，

2021年又宣告研發成功1a工藝記憶體，也就是14nm工藝的，還首次使用了EUV光刻工藝。

再往下就是1b工藝了，大概是12-13nm級別，

三星去年宣佈成立專門的研發團隊攻克1b工藝記憶體，然而最新訊息稱三星已經中斷了研發，13nm級別的記憶體被間接承認失敗。

記憶體工藝在14nm之後是否就此停滯？現在還不好說，三星也表示會對研究方向進行探討，我們現在能知道的就是14nm之後的研發會很難，哪怕突破1nm工藝，2年時間都沒搞定。

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