圖源：BusinessKorea

集微網訊息，根據韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在儲存晶片領域的技術差距為：DRAM 5年，NAND 2年。

據BusinessKorea報道，該研究院透露，中國DRAM製造企業長鑫儲存今年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業計劃在今年年末或明年批次生產第5代10nm（1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。

特別是，三星電子等韓國企業已經引進或計劃引進用於超微加工的EUV裝置，而由於美國的制裁，中國企業很難引進。因此，很多專家認為，中國想要縮小與韓國的技術差距並不容易。

中國晶片製造商的收益率也很低。OERI分析說，從2019年開始批次生產第一代10nm（1x或18-19nm）DRAM的長鑫儲存，在2年時間過去後，其產量仍停留在75%的水平。據悉，在第二代DRAM上的收益率也僅在40%左右。有分析認為，到去年年末長鑫儲存還不到1%的DRAM市場佔有率不會大幅回升。

OERI首席研究員Lee Mi-hye表示：“DRAM企業的技術實力和規模經濟很重要，但中國與主要國家的技術差距很大，加上美國的制裁，很難擴大市場份額。”“DRAM領域不會像顯示器產業的力量轉移那樣發生快速變化。”

據推測，在NAND快閃記憶體領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國儲存晶片企業長江儲存於2021年8月開始批次生產第6代（128層）3D NAND快閃記憶體。三星電子等韓國廠商則從2019年開始批次生產，並計劃從今年年末到明年年初，批次生產200層以上的NAND快閃記憶體，而長江儲存預計要到2024年才能實現。

不過，蘋果公司目前正在考慮在iPhone上安裝長江儲存的NAND快閃記憶體，這也是一個變數。在這種情況下，長江儲存將擴大投資，積極追趕韓國半導體企業。特別是NAND快閃記憶體領域與DRAM產業不同，是成長中的產業，因此變數較多。專家指出，如果5、6家NAND快閃記憶體企業迅速擴大生產能力，就會出現價格競爭，NAND快閃記憶體市場佔有率排名也會發生變化。

Lee Mi-hye表示：“雖然中國企業很難確保收益性，但如果得到中國政府的持續支援，從長遠來看，將會對韓國企業構成威脅。”“美國政客們對中國製造的晶片發出了反對的聲音。如果美國加大對中國產晶片的制裁力度，韓國和中國的技術差距有可能維持下去。”（校對/隱德萊希）