臺積電作為半導體代工行業的老大，一直都是同行們學習的物件，而且同行們也多次揚言會在不久之後趕上臺積電，爭取在幾年內完全超越臺積電。

但可惜的是，這些半導體代工廠與臺積電的差距正在持續擴大，三星就是很典型的例子。

三星為了在半導體行業快速發展，以實現反超臺積電，此前就決定要在2030年前持續投入1160億美元，以實現在3nm製程上趕超臺積電，並計劃在2025年實現晶片製造方面的領先。

這兩年三星半導體也沒有辜負如此巨大的投入，

2020年開始量產5nm工藝，2021年又量產4nm工藝，而現在三星又將製程工藝推向了3nm水平。

日前有報道稱，

三星3nm工藝已經實現量產，並且良率也已大幅改善，

這意味著三星的3nm工藝實現量產，確實趕在了臺積電的前面。

媒體報道稱，美總統近日參觀了位於平澤市附近的三星晶片工廠，這是目前全球唯一可以量產3nm工藝的晶圓廠，而且

三星還首次公開了3nm製程工藝的12英寸晶圓。

對於三星而言，3nm將是他們押注晶片工藝趕超臺積電的關鍵節點，因為

臺積電的3nm工藝不會採用下一代的GAA電晶體技術，而三星卻採用了最新的技術。

據瞭解，GAA是一種新型的環繞柵極電晶體，透過奈米片裝置可製造出多橋-通道場效電晶體MBCFET，

該技術可以顯著增強電晶體效能，將用於取代FinFET電晶體技術。

按照三星官方介紹，3nm GAA技術相比7nm製程工藝來說，

邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，效能提高了約35%。

所以從紙面引數來看，三星的3nm技術是優於臺積電3nm FinFET工藝的，不過外媒卻對此潑了一盆冷水，外媒認為臺積電並不擔心三星的3nm工藝。

因為去年在4nm工藝節點量產上，三星是早於臺積電的，畢竟首款採用臺積電4nm工藝的晶片到今年2月才開始銷售，而採用三星4nm工藝的驍龍8 Gen1早在去年年底就在售了。

但搶先並不意味著領先，在4nm節點上三星就比臺積電差很多，

驍龍8 Gen1無論是在效能還是在功耗上，都沒有采用臺積電4nm工藝的天璣9000晶片穩定。

再就是

三星的新工藝此前還爆出良率只有35%，而且晶片發熱問題很嚴重，

這就直接嚇跑了一些大客戶，包括英偉達及高通等客戶。

最近高通釋出的驍龍8+晶片就是採用的臺積電4nm工藝，得益於臺積電工藝的加持，這顆晶片升級幅度非常明顯，官方表示

CPU和GPU效能均有10%的提升，同時綜合功耗降低了15%。

從這個升級幅度可以看出，臺積電確實在製程工藝上有著絕對的優勢，這也是外媒認為臺積電並不擔心的原因所在。

另外，臺積電還有一個更有底氣的因素，就是

幾乎所有大客戶都被其拿下了，

包括蘋果、AMD、聯發科等，現在高通和英偉達又重新迴歸，再加上與英特爾達成了合作，這些都反映出了臺積電的勢不可當。

而且臺積電的投入也要遠甩三星半導體一條街，前面提到三星計劃在未來十年，持續投入1160億美元，

但臺積電的計劃是2022年的投入規模便高達400-440億美元。

值得一提的是，2021年臺積電計劃投入250-280億美元，但實際支出了300億美元。

按照計劃，

臺積電今年投入的七八成將用於投資2nm等先進製程，一成用於先進封裝等，其餘則用於成熟製程的投資。

所以在外界看來，臺積電未來將勢不可當，三星早已不足為患。那麼你覺得三星有機會超越臺積電嗎，歡迎評論、點贊、分享，談談你的看法。