三星
業績
據IC Insights報告，三星在2021年佔據了44%的DRAM市場份額，銷售額達到近419億美元，仍然是全球最大的DRAM供應商。
另一份報告則指出，2022年第一季度，三星以43。5%的份額穩居DRAM市場榜首，但營收下滑1。1%，為104。6億美元。
而在NAND快閃記憶體市場，三星電子2022年第一季度銷售額為63。2億美元，環比增長3。4%，市場份額達到35。3%，比去年第四季度的33。1%提高了2。2個百分點。
投資
三星5月宣佈，將在5年內斥資450萬億韓元（約3560億美元）加速在半導體、生物製藥與其他新興技術領域的成長。三星電子副會長李在鎔對此發表公開言論稱「這不是數字的問題，而是要麼做，要麼死」。
雖然三星並未透露各事業資本支出投資比重等細節，但業界普遍認為，三星會將投資集中在半導體領域，初估未來5年半導體投資規模將逾千億美元，晶圓代工佔比約近四成，以追趕臺積電晶圓代工龍頭地位。
儲存新品
三星5月新品釋出較多。月初，釋出了新款Pro Endurance MicroSD卡，該系列採用三星高度可靠的企業級NAND快閃記憶體打造，可提供長達16年連續記錄時間。讀取/寫入速度則高達100、400MB/s，支援全高畫質和4K解析度影片錄製。
5月4日，三星正式公佈了UFS 4。0儲存解決方案，並獲得JEDEC的驗證透過。三星UFS 4。0提供每通道高達23。2Gbps的速度，是UFS 3。1的兩倍。並且，藉助三星第7代V-NAND技術和專有控制器，UFS 4。0順序讀寫速度可達4200MB/s和2800MB/s。同時，UFS 4。0的能效也得到了提高，還將提供最高1TB的容量選擇。
5月10日，三星宣佈開發出旗下首款512GB記憶體擴充套件器（CXL）DRAM。其採用了專用積體電路的CXL控制器，並首次封裝了512GB的DDR5 DRAM。與之前的三星CXL產品相比，全新CXL DRAM記憶體容量提升4倍，系統延遲降低至五分之一。
三星電子還和紅帽公司宣佈就下一代儲存解決方案的軟體技術展開合作。合作中，紅帽公司將專注於為現有和新興的記憶體和快閃記憶體產品開發和驗證開源軟體、CXL記憶體、計算記憶體/快閃記憶體。
手機業務而言，受目前手機市場需求疲軟影響，繼國內廠商OPPO、vivo、小米等砍單之後，三星也傳出砍單訊息，從原計劃的3。1億部減少到2。8億部，覆蓋了高中端手機。
SK海力士
業績
SK海力士在市場份額上緊隨三星其後。IC Insights資料顯示，SK海力士在2021年DRAM市場佔有率為28%，排名第二，銷售額為266億美元，增長39%。
另一份報告則指出，SK海力士2022年第二季度DRAM營收依然排在第二，市場份額為27。3%，營收為65。51億美元。但比三星更糟的地方在於，SK海力士有11。8%的下滑。
投資
SK海力士也向三星看齊，其母公司SK集團宣佈到2026年將投資247萬億韓元（約1952。4億美元），發展半導體、電池和生物製藥業務。SK集團表示，過半數資金將投入晶片、材料等領域。
產能
2021年底，SK海力士完成了收購英特爾NAND快閃記憶體及SSD業務案的第一階段，從英特爾手中接管了SSD業務及其位於大連的NAND快閃記憶體製造廠的資產。而為加快推動專案發展，SK海力士5月宣佈在大連繼續擴大投資並建設新工廠，該專案位於大連金普新區，將建設一座新的晶圓工廠用於生產非易失性儲存器3D NAND晶片產品。
同期，SK海力士還透過追加投資，對無錫、重慶工廠進行了產能擴充，並重點推進了8英寸晶圓代工合資廠、產業園、學校、醫院等多個不同領域的在華專案。
儲存新品
SK海力士5月在韓國市場正式發售了其全球首款PCIe 4。0消費級SSD——Platium P41，採用PCIe 4。0x4通道，搭載自研Arise主控和176層TLC NAND快閃記憶體以及DRAM快取。可提供7000MB/s和6500MB/s順序讀寫速度以及1400K IOPS、1300K IOPS 4K隨機讀寫速度。
鎧俠/西數/東芝
業績
5月，鎧俠和西部資料均釋出了重要財報，除了對2021年的經營情況作了披露之外，也對先前的快閃記憶體汙染事件影響做了統計。
5月13日，鎧俠釋出了其截止2022年3月31日的2021財年報告。報告指出，2021財年，鎧俠實現了15265億日元（約合117。54億美元）的銷售收入，相較於2020財年的11785億日元大幅增長29。53%；營業利潤2162億日元（約合16。65億美元），同比2020財年的66億日元，飆升3176%；淨利1069億日元（約合8。15億美元），同比大增532%。
2021財年，鎧俠的資料中心/企業級固態硬碟銷售在雲計算和企業IT系統投資的支援下有所增長，收入達到創紀錄的水平。而移動儲存的銷售則受益於智慧手機向5G過渡對移動儲存需求的持續增長。
穩定的售價和向第五代BiCS FLASH技術過渡帶來的生產效率提高，則為鎧俠2020財年以來營收的同比大幅提高作出了貢獻。不過，原物料汙染相關費用和正好碰上年度財產稅的繳納時間節點的情況，影響了鎧俠的營收表現。
資料中心/企業級固態硬碟出貨量的增加被智慧手機出貨季節性下降部分抵消，最終結果是總出貨量的季度性增長。
在NAND市場供需平衡的情況下，鎧俠本季度整體銷售均價持平。按容量計的位元成長方面，2021財報Q3和Q4都維持了低個位數百分比的成長，銷售均價持平。
西部資料也在5月初公佈了其2022財年第三季財報，收益和收入均超出預期， 西部資料該季淨收入2500萬美元，總收入43。8億美元，比去年同期增長6%，此前華爾街分析師預期的收入為43。4億美元。
西部資料在財報中披露，第三季的NAND Flash的位元出貨量較2021年同期成長了 9%，但是較2022財年年第二季下滑了14%，其中最主要的原因就是汙染事件的影響，損失的數量達到了7EB，金額約2億美元。不過，受到汙染事件影響的兩座工廠，已在3月初復工生產。
技術
5月10日，西部資料在投資者日活動中公佈了其快閃記憶體路線圖。
西數稱，他們的下一代的BiCS6為162層3D NAND，而西數剛釋出不久的旗艦固態SN850X使用的則是2020年生產的BiCS5 112層3D NAND。
BiCS6將帶來更快的I/O介面和更快的顆粒頻寬，而且其QLC版本擁有比TLC版本更小的芯片面積和更高的儲存密度，而且雖然西數的BiCS6 QLC顆粒的堆疊層數比美光和SK海力士的176層QLC快閃記憶體要低一些，但儲存密度卻超越了它們。採用BiCS6 3D NAND的TLC以及QLC固態硬碟將會在2022年年底生產，而且其還提到了PLC顆粒（QLC的下一代），但官方並未公佈其更多資訊。
5月26日，西部資料召開「What’s Next數造輝煌釋出會」，推出高效能、輕薄低功耗的PCIe Gen4 NVMe SSD——SN740 NVMe SSD以及15。36TB新款大容量Ultrastar DC SN650 NVMe SSD系列產品。
西數表示，新款SSD旨在提供大規模的高效能產品支援，同時降低公有云部署的TCO，對TCO（總體擁有成本）和QoS的一致性進行最佳化，助力企業持續推進雲端數字化轉型與應用。
在DRAM-less技術架構的基礎上，全新的SN740 NVMe SSD採用了西部資料自主研發的SSD控制器、BiCS5 3D NAND、獨特的韌體開發以及垂直整合能力。
Ultrastar DC SN650 NVMe SSD透過增加單位SSD的虛擬化主機數量以及整合更大的資料集來提高儲存資源利用率。用於大資料分析和AI/ML的資料集，還可透過採用DC SN650 NVMe SSD而縮短時延並提高資料吞吐量，從而實現更快的洞察和實時分析。更輕薄的E1。L規格尺寸增加了機架儲存密度，在降低TCO的同時提高了儲存的可管理性、可維護性和效率。DC SN650 NVMe SSD E1。L符合OCP雲規範1。0a。
西數還宣佈正在向部分超大規模雲服務商合作伙伴提供22TB和26TB UltraSMR HDD樣品，透過進一步擴大其在面密度技術上的優勢，幫助客戶降低TCO，實現資料價值。
西部資料和鎧俠還將合作，今年內量產第六代BiCS NAND，採用162層NAND快閃記憶體堆疊技術。據悉，西部資料與鎧俠的162層NAND快閃記憶體將達到競爭對手176層的容量，且晶片尺寸更小，單晶圓可達100TB，比上一代70TB的單晶圓大幅增加。2024年，西部資料與鎧俠的BiCS+層數將超過200層，如果一切按計劃進行，2032年應該會看到500層NAND快閃記憶體。
東芝方面，5月5日，據日經中文網報道，東芝將在中國開始生產面向資料中心的機械硬碟（HDD）。最早將於6月供應試製品，7月建成量產體制。加上菲律賓的現有生產基地，到2025年度將把整體產能提高到2020年度的大約2倍。隨著雲服務擴大，儲存裝置的需求也越來越高，東芝將透過增產提高市場份額。
東芝子公司東芝電子元件及儲存裝置（Toshiba Electronic Devices & Storage）將與TDK的子公司合作，在該公司位於廣東省的工廠內設立資料中心用機械硬碟的生產線。具體投資額未公佈。
資料中心用機械硬碟已成為東芝的主打產品之一，東芝一直希望擴大份額。目前，資料中心用機械硬碟的市場主要被東芝和美國的2家企業掌握，東芝2021年度的市場份額為17％，目標是到2025年度提高到24％以上。
東芝私有化方面也有進一步的訊息。5月13日訊息，據彭博社報道，東芝公司表示，已與10家潛在投資者和贊助商簽署了保密協議，正在就私有化和其他戰略替代方案徵求意見。東芝在一份宣告中表示，這10家公司在簽署協議後收到了有關東芝公司業務和財務的詳細資訊。
而據路透社5月27日報道，兩位訊息人士稱，日本產業夥伴（Japan Industrial Partners）與投資基金北極星資本集團（Polaris Capital Group）正分別考慮參與競購東芝公司。
美光
美光5月的動態相對較多，企業運營、技術更新和資本方面都有新的訊息。
企業運營
5月5日訊息，美光科技宣佈由盧東暉出任前段製造企業副總裁暨臺灣美光董事長。將負責管理美光在臺中與桃園的製造廠並主導美光在臺灣的經營策略，以實現公司整體發展目標。
盧東暉具備超過20年的半導體產業經驗，以技術開發與移轉、良率改善和晶圓廠建設見長。加入美光前，他擔任過英特爾製造、供應鏈和營運集團副總裁暨戰略規劃部聯席總經理，負責新廠區啟用的整合規劃管理，並推動全球擴張策略計劃。此外，盧東暉在發展英特爾的儲存業務上亦扮演重要領導角色，他曾成功完成美光與英特爾聯合開發的3D NAND及Optane技術節點移轉，並帶領英特爾3DNAND快閃記憶體製程研發團隊，開發次世代浮柵式NAND。
美光還於5月13日宣佈，試行全新定價機制「遠期定價協議」（forward pricing agreements），希望藉此解決半導體產業定價波動劇烈的問題。美光透露，一家行業排名前十的客戶已簽訂此類協議，協議時長三年，平均每年銷售收入超過5億美元。
美光首席商務官Sumit Sadana表示，他拒絕預測有多少與客戶簽訂的長期協議將轉向這種新的定價模式，並強調這是一個「實驗」。他說，目前的長期協議是基於數量，而不是價格。而遠期定價協議既包括數量又包括價格。當被問及這些合同是否可以執行時，Sadana坦誠，一方或另一方總是會在價格上問題上出錯。Sadana還表示，美光不打算透過降低毛利率來推動遠期定價協議。他表示：「會有起伏，但最終達成這樣一項協議的好處要大於風險。」
技術
5月12日，美光釋出了業界首個具有232層的3D NAND快閃記憶體，並計劃將其新的232層3D NAND產品用於各種產品，包括固態硬碟，預計在2022年底左右開始量產此類晶片。
美光的232層3D NAND快閃記憶體採用3D TLC架構，原始容量為1Tb（128GB）。該晶片基於美光的CuA架構，並使用NAND字串堆疊技術，在彼此的頂部建立兩個3D NAND陣列。
CuA設計加上232層NAND，將大大減少美光1Tb 3D TLC NAND快閃記憶體的晶片尺寸，還有望降低生產成本，使美光能夠對採用這些晶片的裝置進行更有競爭力的定價，或者增加其利潤率。
美光沒有宣佈其新的232層 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數量，但暗示與現有的3D NAND裝置相比，新的記憶體將提供更高的效能，這對採用PCIe 5。0介面的下一代SSD特別有用。
美光還於5月18日宣佈，已於全球範圍內取得超過5萬件的終身專利。2021年是美光歷史上取得專利最多的一年，有累積將近1500位美光員工獲得總數約2600項的專利核准。
5月23日，群聯宣佈，攜手AMD與美光共同打造PCIe Gen5生態，並各自推出相對應的產品，包含AMD AM5平臺、美光的DDR5與Replacement-Gate 3D NAND、以及群聯的旗艦Gen5 SSD控制晶片PS5026-E26 ，助力5G無線技術所衍生的高速傳輸以及高速儲存需求。
5月26日，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra表示，美光臺中廠今年將匯入EUV。Sanjay Mehrotra還表示，臺灣中科新廠啟用後，美光會在臺灣匯入最先進的1α奈米DRAM製程生產，同時也將匯入最先進的EUV裝置，實現美光的投資和成長承諾。美光已經訂購了EUV裝置，2023年將朝向1β製程DRAM匯入大量生產，並計劃從2024年開始使用其1γ奈米節點過渡到EUV技術來生產DRAM。
資本
5月30日，美光宣佈公司旗下的風險投資團隊Micron Ventures（美光創投）將投入2億美元二期基金，用於扶持專注於深度科技領域的初創企業。此前，美光創投一期基金面向人工智慧初創企業，美光的二期基金將著眼於更廣泛的深度技術創新。
據悉，美光與創新企業合作，為其提供支援和基礎設施，幫助他們贏得市場。除了預期的財務回報，美光獲得了多重戰略優勢，例如加速採用人工智慧技術來降低製造成本；利用與雲服務提供商的合作提升美光產品的全球市場推廣能力；以及進一步鞏固美光在全球汽車價值鏈中的關鍵地位。
