IT之家 5 月 13 日訊息，美光公司週四釋出了業界首個具有 232 層的 3D NAND 快閃記憶體，該公司計劃將其新的 232 層 3D NAND 產品用於各種產品，包括固態硬碟，並計劃在 2022 年底左右開始量產此類晶片。

圖片來源：美光

IT之家瞭解到，美光的 232 層 3D NAND 快閃記憶體採用 3D TLC 架構，原始容量為 1Tb（128GB）。該晶片基於美光的 CuA 架構，並使用 NAND 字串堆疊技術，在彼此的頂部建立兩個 3D NAND 陣列。

CuA 設計加上 232 層 NAND，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND 快閃記憶體的晶片尺寸，這有望降低生產成本，使美光能夠對採用這些晶片的裝置進行更有競爭力的定價，或者增加其利潤率。

美光沒有宣佈其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面數量，但暗示與現有的 3D NAND 裝置相比，新的記憶體將提供更高的效能，這對採用 PCIe 5。0 介面的下一代 SSD 特別有用。

談到固態硬碟，美光的技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer 指出，該公司已經與內部和第三方 NAND 控制器（用於固態硬碟和其他基於 NAND 的儲存裝置）的開發者密切合作，以實現對新型記憶體的支援。

圖片來源：美光

在其 232 層 3D TLC NAND 的其他優勢中，美光還提到與上一代節點相比功耗更低。

考慮到美光將在 2022 年年底開始生產 232 層 3D TLC NAND 裝置，預計採用新記憶體的固態硬碟將在 2023 年左右到來。