相較三星5奈米（nm）而言，最佳化的3奈米（nm）工藝，效能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%

剛剛，三星官方釋出

：2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣佈， 基於3nm全環繞柵極（Gate-All-AroundT，簡稱 GAA）製程工藝節點的晶片已經開始初步生產。

三星電子首次實現GAA“多橋-通道場效應電晶體”（簡稱： MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的效能限制，透過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還透過增加驅動電流增強晶片效能。

三星首先將奈米片電晶體應用於高效能、低功耗計算領域的半導體晶片，並計劃將其擴大至移動處理器領域。

三星電子Foundry業務部總經理崔時榮表示：

一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術應用於生產製造中。例如：三星的第一個High-K Metal Gate （HKMG） 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望透過率先採用3nm工藝的‘多橋-通道場效應電晶體’（ MBCFET），將繼續保持半導體行業前沿地位。同時，三星將繼續在競爭性技術開發方面積極創新，並建立有助於加速實現技術成熟的流程。