韓國三星電子週四宣佈，公司已經開始大規模生產3奈米晶片，是全球首家量產3奈米晶片的公司。

三星在官方宣告中表示，公司已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產3奈米半導體晶片。與前幾代使用FinFET的晶片不同，3奈米晶片採用了新的 GAA（Gate All Around）電晶體架構，該架構大大改善了功率效率。與傳統的5奈米晶片相比，

第一代3奈米晶片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的效能，並減少16% 的面積。而第二代3奈米晶片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的效能，面積減少35%。

雖然三星沒有透露其最新代工技術的客戶身份，但市場預計，三星本身和中國晶片設計公司上海磐矽半導體將是3奈米晶片的首批客戶。

三星3奈米晶片量產使得其生產進度略快於同行。在同業競爭方面，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產3奈米晶片。

雖然三星是全球第一個生產3奈米晶片的公司，但臺積電正計劃在2025年實現2奈米晶片的全球首個批次生產。

在本月初的股東會上，臺積電董事長劉德音才強調，臺積電的先進製程的進展都按照計劃發展中，預計2022下半年將量產3奈米晶片。與三星不同的是，臺積電將仍採較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工藝。一直到2025年量產2奈米時，才會採用GAA技術。

在市場份額方面，臺積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據TrendForce 的資料，目前臺積電控制著全球54%的晶片合同生產市場，三星以16。3%的市場份額排名第二。