導讀

：三星電子於6月30日宣佈，全球首先量產採用環柵 （GAA） 電晶體架構的3nm工藝節點，同時韓媒稱三星與ASML就採購高數值孔徑 （NA） EUV光刻裝置已簽署協議。

圖：三星展示採用3nm工藝量產的晶圓

三星宣佈，首次實施的GAA技術多橋通道FET（MBCFETTM）

突破了FinFET的效能限制

，透過降低電源電壓水平來提高功率效率，同時透過增加驅動電流能力來提高效能。

與5nm工藝相比，第一代3nm工藝最高可降低

45%的功耗

，提升

23%的效能

，減少16%的面積，而第二代3nm工藝則是最高可降低50%的功耗，效能提升30%，面積減少35%。

圖：李在鎔參觀ASML光刻裝置

與此同時，韓媒公佈了三星電子副會長李在鎔6月赴歐成果，三星與ASML簽署了一項協議，將引進今年將生產的EUV光刻裝置和預計明年推出的最新款

高數值孔徑 (High-NA) EUV光刻機

。

與現有的EUV光刻裝置相比，High-NA EUV光刻裝置可以雕刻更精細的電路，被認為是遊戲規則的改變者，將決定3nm以下工藝的市場格局。

同時，目前0。55 NA EUV光刻裝置的單價估計為5000億韓元（約合

26億元人民幣

），售價高達現有EUV光刻裝置的

兩倍

。

圖：0。55NA光刻機路線圖

今年早些時候，

英特爾

宣佈已簽署合同，購買

5臺

這種裝置，用於2025年生產

1.8nm晶片

。

臺積電

也在6 月16日公開表示，將在

2024年

全球首次將0。55 NA EUV光刻裝置引入其工藝。

報道還指出，李在鎔歐洲此行的目的除確保下一代High-NA EUV光刻裝置合作外，還在爭取目前正在生產的新一代EUV裝置的產能。據悉，ASML今年只能生產50臺左右的EUV裝置，交貨週期為

18個月

。

據報道，三星電子已獲得計劃於今年生產的55臺EUV光刻裝置中的

18臺

，這意味著該公司今年僅在EUV光刻裝置上就將投資超過4萬億韓元（約合

208億元人民幣

）。