光刻機比原子彈還稀有，全球僅2個國家掌握其技術，製造它太難了
首先就是光刻機最重要的核心功能——光源銘刻，這意味著光刻機需要一款精度達到奈米級的鐳射發射器，目前唯有美國Cymer公司具備生產深紫外線光源的能力...
時間：2023-01-02
標簽：EUV
比原子彈還難造？全球僅兩國能造，專家：不要氣餒，堅信能成功
我們現在唯一能做的就是不氣餒不放棄，繼續在光刻機的研製道路上不斷前進，堅信終有一日可以突破技術的壁壘，做到領先全球...
時間：2022-11-20
中國需要幾年能研製出媲美荷蘭阿斯麥的EUV極紫外光刻機？
可見ASML的極紫外EUV光刻機使用的就是由Cymer公司研發的第三代光源，該光源有兩大特點：第一，功率高，250W...
時間：2022-02-21
三巨頭競爭白熱化：SK海力士搶先銷售LPDDR5X晶片
時間：2022-11-10
臺積電披露未來的研發計劃
用於提高載流子遷移率的 SiGe pFET 溝道按照臺積電所說，在他們的7nm節點之前，矽一直是所有 CMOS 技術世代的首選電晶體溝道材料...
時間：2022-07-20
三星3nm晶圓量產面世！26億簽下最新光刻機
導讀：三星電子於6月30日宣佈，全球首先量產採用環柵 （GAA） 電晶體架構的3nm工藝節點，同時韓媒稱三星與ASML就採購高數值孔徑 （NA） EUV光刻裝置已簽署協議...
時間：2022-06-30
對華禁售的阿斯麥高階光刻機，憑什麼做到了 “一家獨大”？
時間：2022-07-09
三星與ASML達成協議：採購下一代High-NA EUV光刻機
時間：2022-06-30
EUV光刻機最新路線圖
他指出，與現有的EUV系統相比，High-NA EUV微影裝置預計將能在減少曝光顯影次數的情況下，實現2奈米以下邏輯晶片的關鍵特徵圖案化...
時間：2022-06-28
10年迭代縮短為3年：ASML EUV光刻機大躍進
他指出，與現有的EUV系統相比，High-NA EUV微影裝置預計將能在減少曝光顯影次數的情況下，實現2奈米以下邏輯晶片的關鍵特徵圖案化...
時間：2022-06-28
2nm就靠它了！ASML加速研發新一代光刻機：更貴、更強
33 NA EUV 光刻機的同時，ASML 也在衝刺研發 0...
時間：2022-06-28
臺積電：2024年將擁有ASML最先進的High-NA EUV光刻機
臺積電業務發展高階副總裁Kevin Zhang後來澄清表示，臺積電不會在2024年準備使用新的High-NA EUV工具進行生產，將主要用於與合作伙伴進行研究...
時間：2022-06-17
傳三星搶到ASML“額外”EUV光刻機，今年至少可獲得18臺
時間：2022-06-17
英特爾試圖於 2023 年推出的“英特爾 4”讓其晶片製造重回正軌
時間：2022-06-15
較上代效能提升21％，功耗降低40％，Intel 4工藝細節曝光
Intel 4 即為以前的英特爾 7nm 工藝，是其第一次在晶片上採用 EUV 光刻技術...
時間：2022-06-14
臺積電表示將在 2024 年擁有先進的 ASML 晶片製造工具
臺積電業務發展高階副總裁張凱文澄清說，臺積電不會在 2024 年準備好使用新的高 NA EUV 工具進行生產，但它將主要用於與合作伙伴的研究...
時間：2022-06-17
缺芯危機下，企業被逼到拆洗衣機晶片，ASML新一代光刻機有望提前量產
生產新一代光刻機的重要性該專案是否能成功不僅對ASML來說至關重要，對訂購這些光刻機的企業來說也非常重要，特別是在這一階段，由於全球半導體短缺，大型晶片製造商正在紛紛擴大生產能力...
時間：2022-05-23
0.2nm要來了……
時間：2022-05-22
臺積電公佈2nm製程路線圖，還有引入新極紫外光刻機訊息
近日，臺積電公佈其2nm製程路線圖，最大亮點就是取代FinFET（鰭式場效應電晶體）後採用奈米片電晶體（Nanosheet），相較於N3，在相同功耗下，速度提升10~15%...
時間：2022-06-17
大家稍安勿躁，DUV和EUV曝光裝置已經研製很久了！靜候佳音即可
某技術大牛發表的論文和參與的光源技術研究專案簡介綜上所述，國產DUV、EUV曝光裝置研製工作都已進入尾聲，其中DUV曝光裝置很可能已經量產...
時間：2022-06-04