近兩年來，三星和臺積電兩家代工廠一直在先進製程方面你爭我趕，都想要比對手先一步首發量產最先進的製程。今年上半年的財報會議上，臺積電曾宣佈將在今年下半年量產3nm工藝，而已經在5nm上落後了對手的三星這次則彎道超車，搶先了臺積電一步。

就在今天，三星電子正式宣佈，該公司已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產3奈米半導體晶片，是全球首家量產3奈米晶片的公司。

根據三星官方介紹，在3nm晶片上，其放棄了之前的FinFET架構，採用了新的GAA電晶體架構，大幅改善了晶片的功耗表現。

與5nm相比，新開發的3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的效能。

同時三星的第二代3奈米GAA製造工藝也正在研發中，這種第二代工藝將使晶片功耗降低達50%，效能提高30%，面積減少35%。

同時有爆料也表示目前三星3nm工藝也迎來了其第一批客戶，爆料猜測三星自己和虛擬貨幣挖礦機晶片設計公司上海磐矽半導體將成為最初的客戶之一。

不過除了這兩家之外暫時還沒有其他廠商想要用三星3nm的訊息曝出，外界也對此做出了猜測，首先便是量產初期產能不夠是肯定的，這時候即使有客戶也不一定能保證產量。

其次就是三星之前工藝不太優秀的表現，曾經的大客戶高通都轉而選擇了臺積電，而根據爆料本次三星量產3nm高通也僅僅是對其保持觀望態度，目前僅將其作為備選。

當然，三星3nm到底會是一次翻身戰，還是表現依舊不佳，還要等待未來更多廠商的實際產品來考驗。