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兆易創新GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列問世

近日訊息,兆易創新近日宣佈,推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列,採用1。2mm×1。2mm USON6超小型塑封封裝,最大厚度僅為0。4mm,在如此緊湊、輕薄的空間內,其功耗、電壓範圍等方面均實現了進一步提升,為消費電子、可穿戴裝置、物聯網以及行動式健康監測裝置等對電池壽命和緊湊型設計有著嚴苛需求的應用提供了理想選擇。

兆易創新GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列問世

如今,隨著5G、物聯網、AI等技術的不斷迭代,在筆記本攝像頭、智慧遙控器、智慧健康手環等採用電池供電的應用場景中,兆易創新對“小而精”的追求從未停止,這對應用其中的儲存產品提出了更高的要求。

一方面,需要提供足夠的程式碼儲存空間來滿足裝置正常執行需求;另一方面,也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精,以適應電子裝置日益小型化的趨勢。

針對這一市場需求,兆易創新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列採用僅為1。2mm×1。2mm的超小型USON6封裝,相比於前一代1。5mm×1。5mm USON8封裝產品,縮小了高達36%的佔板面積,為空間受限的產品提供了更大的設計自由度。

在低功耗設計方面,兆易創新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在極低水平內,在待機狀態下,電流僅為0。1μA,可顯著延長電子裝置的電池壽命。

此外,為滿足行動式電子產品的儲存需求,GD25WDxxK6提供單通道、雙通道SPI模式,具有1。65V~3。6V寬電壓工作範圍,支援512Kb~4Mb不同容量的選擇,最高時鐘頻率可達104MHz,擁有10萬次的擦寫壽命,資料有效儲存期限可達20年,且全系列支援-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃溫度範圍。

據悉目前兆易創新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量產品已全面量產;2Mb~4Mb容量產品可提供樣片,預計在8月中旬實現量產。