2021年全球首發176層堆疊的3D快閃記憶體之後，美光今天有全球首發了232層堆疊的TLC快閃記憶體，這是全然首個超過200層的快閃記憶體，也是業界密度最高的，介面速度提升到2。4GB/s，寫入速度提升100%。

美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer表示232層快閃記憶體是儲存晶片創新的分水嶺，首次證明了3D快閃記憶體有擴充套件到200層以上的能力。

指標方面，

美光表示其232層TLC快閃記憶體引入了業內最快的IO速度，可達2.4GB/s，比上代的176層快閃記憶體高出50%，同時寫入頻寬提升100%，讀取頻寬提升75%。

美光的232層快閃記憶體還是全球首個六平面TLC快閃記憶體，在TLC快閃記憶體中平面最多，而且每個平面都可以獨立讀取，高IO速度、低延遲及六平面結構相結合使得232層快閃記憶體可以提供一流的資料傳輸能力。

此外，

美光的232層快閃記憶體還是首款支援NV-LPDDR4，

後者是一種低壓介面，相比之前的IO介面，每位元的能效提升30%以上。

其他方面，美光的232層TLC快閃記憶體還是有史以來密度最高的，達到了14。6Gb/mm2，比當前的TLC快閃記憶體高出35-100%，而且232層快閃記憶體使用了11。5x13。5mm封裝，尺寸比前代產品小了28%，是市面上最小面積的高密度快閃記憶體，可以減少對電路板空間的佔用。

目前美光的232層快閃記憶體已經在新加披工廠量產，最初會由美光旗下的英睿達品牌推出消費級SSD，後續再公告其他產品。