問題一:我們小功率用到最多的反激電源，為什麼我們常常選擇65K或者100K（這些頻率段附近）作為開關頻率？

有哪些原因制約了？

或者哪些情況下我們可以增大開關頻率？

或者減小開關頻率？

開關電源為什麼常常選擇65K或者100K左右範圍作為開關頻率，有的人會說IC廠家都是生產這樣的IC，當然這也有原因。每個電源的開關頻率會決定什麼？

應該從這裡去思考原因。還會有人說頻率高了EMC不好過，一般來說是這樣，但這不是必然，EMC與頻率有關係，但不是必然。想象我們的

電源開關頻率提高了，直接帶來的影響是什麼?

當然是MOS開關損耗增大，因為單位時間開關次數增多了。

如果頻率減小了會帶來什麼？

開關損耗是減小了，但是我們的儲能器件單週期提供的能量就要增多，勢必需要的變壓器磁性要更大，儲能電感要更大了。選取在65K到100K左右就是一個比較合適的經驗折中，電源就是在折中合理化折中進行。

假如在特殊情形下，輸入電壓比較低，開關損耗已經很小了，不在乎這點開關損耗嗎，那我們就可以提高開關頻率，起到減小磁性器件體積的目的。

如何選擇合適IC的開關頻率？主流IC的開關頻率為什麼是大概是這麼一些範圍？開關頻率和什麼有關，說的是普遍情況，不是想鑽牛角尖好多IC還有什麼不同的頻率。更多的想發散大家思維去注意到這些問題！

我這裡想說的普遍情況，主要想提的是開關頻率和什麼有關，如何去選擇合適開關頻率，為什麼主流IC以及開關頻率是這麼多，注意不是一定，是普遍情況，讓新手區理解一般行為，當然開關電源想怎麼做都可以，要能合理使用。

1、你是如何知道一般選擇65或者100KHZ，作為開關電源的開關頻率的？（調研普遍的大廠家主流IC，這二個會比較多，當然也有一些在這附近，還有一些是可調的開關頻率）

2、又是如何在工作中發現開關電源開關頻率確實工作在65KHZ，或100KHZ的。（從設計角度考量，普遍電源使用這個範圍）

3、有兩張以上的測試65KHZ100KHZ頻率的圖片說明嗎？（何止二張圖片，毫無意義）

4、你是否知道開關電源可以工作在1。5HZ。（你覺得這樣談有必要，工作沒有什麼不可以，純熟鑽牛角尖，做技術切記鑽牛角尖，那你能談談為什麼普遍電源不工作在1。5HZ，說這個才有意義，你做出1。5HZ的電源純屬毫無意義的事情）

提醒：

做技術人員切記鑽牛角尖，咱們不是校園研究派，是需要將理論與實踐現結合起來，做出來的產品才是有意義的產品！

問題二：

LLC中為什麼我們常在二區設計開關頻率？

一區和三區為什麼不可以？

有哪些因素制約呢？

或者如果選取一區和三區作為開關頻率會有什麼後果呢？

LLC的原理是利用感性負載隨開關頻率的增大而感抗增大，來進行調節輸出電壓的，也就是PFM調製。並且MOS管開通損耗ZVS比ZCS小，一區是容性負載區，自然不可取。那麼三區，開關頻率大於諧振頻率，這個仍是感性負載區，按道理MOS實現ZVS沒有問題，確實如此。但是我們不能忽略副邊的輸出二極體關斷。也就是原邊MOS管關斷時，諧振電流並沒有減小到和勵磁電流相等，實現副邊整流二極體軟關斷。這也是我們通常也不選擇三區的原因。

我們不能只按前人的經驗去設計，而要知道只所以這樣設計是有其必然的道理的！

問題三：

當我們反激的佔空比大於50%會帶來什麼？

好的方面有哪些？

不好的方面有哪些？

反激的佔空比大於50%意味著什麼，佔空比影響哪些因素

?第一:

佔空比設計過大，首先帶來的是匝比增大，主MOS管的應力必然提高。一般反激選取600V或650V以下的MOS管，成本考慮。佔空比過大勢必承受不起。

第二點：

很重要的是很多人知道，需要斜坡補償，否則環路震盪。不過這也是有條件的，右平面零點的產生需要工作在CCM模式下，如果設計在DCM模式下也就不存在這一問題了。這也是小功率為什麼設計在DCM模式下的其中一個原因。當然我們設計足夠好的環路補償也能克服這一問題。

當然在特殊情形下也需要將佔空比設計在大於50%，單位週期內傳遞的能量增加，可以減小開關頻率，達到提升效率的目的，如果反激為了效率做高，可以考慮這一方法。

問題四：

反激電源如果要做到一定的效率，需要從哪些方面著手？

準諧振？

同步整流？

反激的一大劣勢就是效率問題，改善效率有哪些途徑可以思考的呢？減小損耗是必然的，損耗的點有開關管，變壓器，輸出整流管，這是主要的三個部分。

開關管我們知道反激主要是PWM調製的硬開關居多，開關損耗是我們的一大難點，好在軟開關的出現看到了希望。反激無法向LLC那樣做到全諧振，那隻能朝準諧振去發展（部分時間段諧振），這樣的IC也有很多問世，我司用的較多是NCP1207，透過在MOS管關斷後，下一次開通前1腳檢測VCC電壓過零後，然後在一個設定時間後開通下一週期。

變壓器的損耗如何做到最小，完美使用的變壓器後面問題會涉及到。

同步整流一般在輸出大電流情況下，副邊整流流二極體，哪怕用肖特基損耗依然會很大，這時候採用同步整流MOS替代肖特基二極體。有些人會說這樣成本高不如用LLC，或者正激呢，當然沒有最好的，只有更合適的。

問題五：

電源的傳導是怎麼形成的？

傳導的途徑有哪些？

常用的手段？

電源的輻射受哪些東西影響？

怎麼做大功率的EMC。

電源傳導測量方式是透過接收輸入埠L，N，PE來自電源內部的高頻干擾（一般150K到30M）。

解決傳導必須弄清楚透過哪些途徑減弱埠接收到的干擾。

如圖：一般有二種模式：L，N差模成分，以及透過PE地迴路的共模成分。有些頻率是差共模均有。

透過濾波的方式：一般採用二級共模搭配Y電容來濾去，選擇的方式技巧也很重要，布板影響也很大。一般靠近埠放置低U電感，最好是鎳鋅材質，專門針對高頻，繞線方式採用雙線並繞，減少差模成分。後級一般放置感量較大，在4MH到10MH附近，只是經驗值，具體需要與Y電容搭配。X電容濾差模也需要靠近埠，一般放在二級共模中間。放置Y電容，電容布板時走線需要加粗，不可外掛，否則效果很差。（這些只是輸入濾波網路上做文章）

當然也可以從源頭上下手，傳導是輻射耦合到線路中的結果，減弱了開關輻射也能對傳導帶來好處。影響輻射的幾處一般有MOS管開通速度，整流管導通關斷，變壓器，以及PFC電感等等。這些電路上的設計需要與其他方面折中不做詳述。

一些經驗技巧：針對大功率的EMC一般需要增加遮蔽，立竿見影，遮蔽的部位一般有幾處選擇：

第一：

輸入EMI電路與開關管間遮蔽，這對EMC有很大的作用，很多靠濾波器無效的採用該方法一般很有效果。

第二：

變壓器初次級遮蔽，一般設計變壓器若有空間最好加上遮蔽。

第三：

散熱器的位置能很好充當遮蔽，合理布板利用，散熱器接地選擇也很重要。

第四：判斷輻射源頭位置，一般有幾個簡單的方法，不一定完全準確，可以參考，輸入線套磁環若對EMC有好處，一般是原邊MOS管，輸出線套磁環若對EMC有效果，一般是副邊輸出整流管，尤其是大於100M的高頻。可以考慮在輸出加電容或者共模電感。

當然還有很多其他的細節技巧，尤其是布板環路方面的，後面對LAYOUT會單獨講解。

問題六：

我們選擇拓撲時需要考慮哪些方面的因素？

各種拓撲使用環境及優缺點？

設計電源的第一步不知道大家會想到什麼呢？我是這麼想，細緻研究客戶的技術指標要求，轉換為電源的規格書，與客戶溝通指標，不同的指標意味著設計難度和成本，也是對我提出的問題有很大的影響，選擇拓撲時根據我們的電源指標結合成本來考慮的，哪常用的幾種拓撲特點在哪呢 ？

這裡主要談隔離式，非隔離式應用有限，當然也是成本最低的。

反激特點：

適用在小於150W，理論這麼說，實際大於75W就很少用，不談很特殊的情況。反激的有點成本低，除錯容易（相對於半橋，全橋），主要是磁芯單向勵磁，功率由侷限性，效率也不高，主要是硬開關，漏感大等等原因。全電壓範圍（85V-264V）效率一般在80%以下，單電壓達到80%很容易。

正激特點：

功率適中，可做中小功率，功率一般在200W以下，當然可以做很大功率，只是不常常這麼做，原因是正激和反激一樣單向勵磁，做大功率磁芯體積要求大，當然採用2個變壓器串並聯的也有，注意只談一般情形，不誤導新人。正激有點，成本適中，當然比反激高，優點效率比反激高，尤其採用有源箝位做原邊吸收，將漏感能量重新利用。

半橋：

目前比較火的是LLC諧振半橋，中小功率，大功率通吃型。（一般大於100W小於3KW）。特點成本比反激正激高，因為多用了1個MOS管（雙向勵磁）和1個整流管，控制IC也貴，環路設計業複雜（一般採用運放，尤其還要做電流環）。優點：採用軟開關，EMC好，效率極高，比正激高，我做過960W LLC，效率可達96%以上（全電壓）（當然PFC是採用無橋方式）。其它半橋我不推薦，至少我不會去用，比較老的不對稱橋，很難做到軟開關，LLC成熟以前用的多，現在很少用，至少艾默生等大公司都傾向於LLC，跟著主流走一般都不會錯。

全橋：

一般用在大於2KW以上，首推移相全橋，特點，雙向勵磁，MOS管應力小，比LLC應力小一半，大功率尤其輸入電壓較高時，一般用移相全橋，輸入電壓低用LLC。成本特別高，比LLC還多用2個MOS。這還不是首要的，主要是驅動複雜，一般的IC驅動能力都達不到，要將驅動放大，採用隔離變壓器驅動，這裡才是成本高的另一方面。

推輓：

應用在大功率，尤其是輸入電壓低的大功率場合，特點電壓應力高，當然電流應力小，大功率用全橋還是推輓一般看輸入電壓。變壓器多一個繞組，管子應力要求高，當然常提到的磁偏磁也需要克服。這個我真沒用過，沒涉及電力電源，很難用到它的時候。

問題七：

考慮電源成本時，我們要從哪裡下手呢？

設計電源，成本評估必不可少，目前客戶將電源的成本壓得很低，各大競爭對手無不都在打價格戰，大家都能做出電源來，就看誰做得更便宜，才能贏得訂單，從哪些方面入手有利於我們陳本呢：

第一：

技術指標。電源技術指標越高，成本越高，如果你的電源成本高了，那你可以打你的效能指標賣點，多了效能要求，電路增多了成本自然高。也是和客戶談話的資本。

第二：

物料採購成本，為什麼大公司電源利潤高？無非是他們有著優越的採購平臺，採購量大，物料成本低，當然成本更低。如果不考慮採購，作為工程師必須弄清楚不同物料對應的成本，比如能用貼片，少用外掛，（比如外掛電阻比貼片成本高），能用國產，不用臺資，能用臺資不用日系，這裡的價格差異不菲。（比如日系電容比國產電容價格高几倍不止！！！當然質量也有差異；）

第三：

影響成本的重要器件：變壓器，電感，MOS管，電容，光耦，二極體及其他半導體器件，IC等。 不同的變壓器廠家繞出來的變壓器價格差異很大，MOS管應力，熱阻選擇夠用就行，IC方案的成本等等

其它方面導致成本問題：器件散熱器，大小合適，多了就是浪費錢。PCB布板，能用單面板用成雙面板就是浪費錢，PCB布板工藝，選擇合理的工藝加工成本低，生產效率高。

問題八：

電源的環路設計，電源哪些部分影響電源的環路？

好的環路有哪些指標決定？

電源的環路設計一直是一個難點，為什麼這麼說，因為主要影響的因素太多，理論計算很難做到準確，模擬也是基於理想化模型，在這裡只談關於環路設計的一些影響因素，從定性的角度去理解環路以及怎麼去做環路補償。

環路是基於輸入輸出波動時，需要透過反饋，環路相應告知控制IC去調節，維持輸出的穩定。電源環路一般都是串聯負反饋，有的是電壓串聯負反饋（CC模式下），有的是電流串聯負反饋（CV模式下）。

那有哪些地方會影響環路呢？電路中的零點以及極點。零點一般會導致增益上升，引起90度相移（右半平面零點會引起-90度相移）。極點一般會導致增益下降，引起-90度相移，左半平面極點會引起系統震盪。所以我們需要藉助零點極點補償手段去合理調控我們的環路。對於低頻部分，為了滿足足夠增益一般引入零點補償，對於高頻干擾一般引入極點補償去抵消，減少高頻干擾。

環路穩定的原則是：1。在穿越頻率處（即增益為零dB時的頻率），系統的相位餘量大於45度。

2。在相位達到-180度時增益的餘量大於-12dB。3。避免過快的進入穿越頻率，在進入穿越頻率附近的曲線斜率為-1。

針對一般反激電路：1。產生零點的有輸出濾波電容 ：可以使環路增益上升。（一般在中頻4K左右，對增益有好處，無需補償）

2。若工作在CCM模式下還會產生右半平面零點。在高頻段，可採用極點補償。這個一般很難補償，儘量避免，讓穿越頻率小於右半平面零點頻率（15K左右，隨負載變化會變化），選取3。負載會產生低頻極點。採用低頻零點去補償。4。LC濾波器會產生低頻極點，需要採用零點補償。在心中要清楚哪些零極點是利是弊，針對性補償。

補償的電路，針對電源環路來說比較簡單，一般採用對運放採用2型補償，也有的會採用3型補償很少用。

問題九：

對各種拓撲的軟開關形式有哪些？

軟開關是如何實現的？

軟開關目前使用很頻繁，一來可以提升次效率，二來可以利於EMC。很多拓撲都開始利用軟開關了，就連反激如果為了做高效率也引入了準諧振來實現軟開關，這個在前面問題已講過。LLC的軟開關在前面問題也提過實現條件，具體實現過程沒有細講。這裡就分享下我對軟開關的理解。

實現條件及過程：利用軟開關需要二個元素，一個是C一個是L來實現諧振（當然也可以多諧振形式），諧振會產生正弦波，正弦波就能實現過零。如果是串聯諧振屬於電壓諧振，並聯諧振屬於電流諧振。

其次軟開關和硬開關的差異是：硬開關過程中電壓電流有重疊，軟開關要麼電流為零（ZCS）要麼電壓為零（ZVS）。MOS管的軟開關可以利用結電容或者並電容，然後串電感實現串聯ZVS，例如準諧振反激，有源箝位吸收電路，移向全橋的軟開關。也有LC並聯ZCS，不過用的很少，因為MOS管ZVS的損耗小於ZCS。LLC屬於串並聯式，不過我們利用的是ZVS區。（在死區的時候諧振電流過零，上管軟開通前，先給下管結電容充電，上管實現軟開通）

問題十：

什麼樣的變壓器才算是最完美適用的？

變壓器決定了什麼，影響了什麼?

設計變壓器是各種拓撲的核心點之一，變壓器設計的好壞，影響電源的方方面面，有的無法工作，有的效率不高，有的EMC難做，有的溫升高，有的極限情況會飽和，有的安規過不了，需要綜合各方面的因素來設計變壓器。

設計變壓器從哪裡入手呢？一般來說根據功率來選擇磁芯大小，有經驗的可參考自己設計過的，沒經驗的只能按照AP演算法去算，當然還要留有一定的餘量，最後實驗去檢驗設計的好壞。

一般小功率反激推薦的用的比較多EE型，EF型，EI型，ER型，中大功率PQ的用的比較多，這裡面也有每個人的習慣以及不同公司的平臺差異，功率很大的，沒有適合的磁芯，可以二個變壓器原邊串副邊並的方式來做。

不同拓撲對變壓器的要求也不一樣，比如反激，需要考慮的是需要工作在什麼模式下，感量如何調節適中。尤其是多路輸出一定要注意負載調整率滿足需求，耦合的效果要好，比如採用並繞，均勻繞制，以及副邊匝數儘可能增多。MOS管耐壓決定匝比，怎麼選取合適的佔空比，選取多大的Bmax（一般小於0。35，當然0。3更好，即時短路也不會飽和太嚴重）有的還需要增加遮蔽來整改EMC，原副邊遮蔽一般加2層，外遮蔽1層就好。

大功率變壓器一般更多的是關注損耗，需要銅損和磁損達到平衡，還要考慮到風冷自然冷，電流密度多大合適，功率稍大（大於150W）的一般電流密度相對取小些（3。5-4。5），功率小的（5。0-7。0）。

還要清楚電源過的什麼安規，擋牆是不是足夠，層間膠帶是否設定合理也是不可以忽視的，一旦要做認證去改變壓器也是影響進度的。

問題十一：

我們真的需要到迷戀設計工具，依賴模擬的地步嗎？

電源的設計工具主要用在以下幾個方面：1。選擇磁芯及設計變壓器 2。環路模擬設計 3。主功率拓撲模擬4。類比電路模擬 5。熱模擬（針對大功率）6。計算工具（計算書） 等等。

對於新人來說，我給的建議少用工具，多計算，自己把握設計的過程，因為工具是人做的，不同人的設計習慣差異，不能用一個固定的設計模式來設計不同的電源。

有些模擬可以與設計相結合：比如環路設計好後是很難直接滿足設計需求的，模擬可以在試驗前很好驗證，但模擬也不是完全和試驗一樣，至少不會差太遠。

熟練運用Mathcad和Saber也是必要的，只是很多我們需要弄清原理的層面，把工具只需要當做計算器來使用，更快速方便更高效來滿足我們設計就好，想純依賴工具來設計電源，無疑是走入極大誤區。

問題十二：

評判一塊電源板LAYOUT好壞有哪些地方能一陣見血發現？

什麼樣的PCB是一塊好的PCB，至少要滿足以下一個方面：1。電效能方面干擾小，關鍵訊號線及底線走的合理，各方面效能穩定（前提是電路無缺陷）。2。利於EMC，輻射低，環路走的合理。3。滿足安規，安規距離滿足要求。4。滿足工藝，量產可生產性，以及減小生產成本。5。美觀，佈局規則有序（器件不東倒西歪），走線漂亮美觀，不七彎八繞的。

如何才能做到以上幾點，分享我的布板經驗：

1.佈局前，

瞭解清楚電源的規格書，電源的規格，有無特殊要求，以及要過的安規標準。

結構輸入條件是不是準確，以及風道的確認，輸入輸出埠的確認，以及主功率流向。

工藝路線選取，根據器件的密度，以及有無特殊器件，選擇相對應工藝路線。

2.佈局中，

注意合理的佈局，保證四大環路儘可能小，提前預判後續走線是否好走。變壓器的擺放基本決定了整體的佈局，一定要慎重，放到最佳位置。EMI部分的佈局流向清晰，與其它主功率部分有清晰的隔離帶。減少受到主功率開關器件的干擾。各吸收回路的面積儘可能小，散熱器的長度以及位置要合理，不擋風道。

3.走線部分，

輸入EMI電路的走線是否滿足安規，原副邊距離，輸入輸出對大地的距離都要滿足安規。走線的粗細是否滿足足夠的電流大小，關鍵訊號（例如驅動訊號，取樣訊號，地線是否合理），驅動訊號不要干擾敏感訊號（高頻訊號）；取樣訊號是否取樣準確，是否會受到干擾；地線是否拉得合理（有時需要單點接地，有時需要多點接地跟實際需要有關），主功率地和訊號地嚴格區分開，原邊晶片地從取樣電阻取，不要從大電解取（尤其是取樣電阻和大電解地距離遠時），VCC的地前級地回大電解，二級電容地接晶片，反饋訊號也單點接IC，地單點接IC。散熱器的地必須接主功率地，不能接訊號地等等很多的細節要求。

問題十三：

電源的元器件你懂多少？

MOS管結電容多大，對哪些有影響？

RDS跟溫度是什麼關係？

肖特基反向恢復電流影響什麼？

電容的ESR會帶來哪些影響？

電源中的設計的器件型別很多，主要有半導體器件如：MOS管，三極體，IC，運放，二極體，光耦等；磁性器件：電感，變壓器，磁珠等；電容：Y電容，X電容，瓷片電容，電解電容，貼片電容等；每種器件都有其規格，極限引數。

常規的引數在我們選型很容易把握，例如選取MOS管，耐壓引數肯定會考慮，額定電流也會考慮，導通電阻我們會考慮，但還有一些寄生引數以及一些隨溫度變化特性的引數卻很少去注意，或者只有在發現問題的時候才會去找。導通電阻Rds（on）隨溫度升高其阻值是變大的，設計MOS管損耗時要考慮到其工作的環境溫度。結電容影響到我們的開通損耗，也會影響到EMC。

肖特基二極體耐壓，額定電流一般很好注意，有些引數例如導通壓降在溫度升高時會減小，反向恢復時間短，不過漏電流大（尤其是考慮到高溫時漏電流影響就更大了），寄生電感會引起關斷尖峰很高。

電容一個重要引數ESR，在計算紋波時通常會考慮，ESR一般與C的關聯是很大的，不過不同廠家的品質因素影響也是很巨大，一定要具體分清楚。

一般估算公司可參考：ESR=10/（C的0。73次方），電容在高溫時壽命會縮短，低溫時容量會減小，漏電流也會增加等等；

當然器件在特殊情形表現出來的特性差異是值得我們思考的問題，請大家多多思量，對於我們解決特殊情況下的問題非常有幫助。

問題十四：

你對磁性材料瞭解多少，磁環和磁芯有哪些差異？

低磁環和高磁環用在什麼情況？

磁性器件對開關電源的重要性不言而喻，可以說是電源的心臟部位。 磁性材料的種類也繁多，常用來做變壓器的一般是鐵氧體材料，主要是價格便宜，開關頻率最大 能做到1000K，夠一般情況下使用了。鐵氧體磁芯既可以做主變壓器也可以做電感，如PFC電感（一般鐵矽鋁材質居多，價效比高），儲能電感也可以。當然在要求高的情況下，尤其是大功率一般用磁環，主要是感量可以做大，不易飽和，相對鐵氧體磁芯來說，不過缺點是價格貴，尤其是大電流，繞制工藝較困難。磁環也分高U值和低U值，主要也是磁環的材料不同照成，高U環磁環外觀是綠色，一般EMI電路的共模電感選用，感量會相對較大濾低頻，顏色偏灰的是低U環，感量很低，濾高頻。一般為了EMC都是搭配使用效果一般都比較好！

問題十五：

電源損耗是怎麼分佈的？

MOS管損耗？

變壓器損耗？

變壓器除了直流損耗，還有交流損耗怎麼算的？

電源損耗一般集中在以下一些方面：1。MOS管的開通損耗及導通損耗。2。變壓器的銅損和鐵損；3。副邊整流管的損耗；4。橋式整流的損耗。5。取樣電阻損耗；6。吸收電路的損耗；7。其它損耗：PFC電感損耗，LLC的諧振電感損耗，同步整流的MOS管損耗。等等。。。

針對這些損耗，適當的減小可以提升效率。1。針對MOS管可選用開關速度快的，導通電阻低的，電路上課採用軟開關。2。針對變壓器：選擇合適大小的磁芯，磁芯太小損耗會大，很難做到銅損和鐵損平衡。尤其是銅損不僅有直流損耗還有交流損耗，交流損耗一般比直流損耗還大2倍，因為銅線在高頻下的交流阻抗比直流阻抗大的多，計算時一定要充分估算進去。

問題十六：

電源中的熱設計，散熱器是怎麼選擇的？

散熱器設計需要考慮什麼？

散熱器的設計是開關電源的一個重點，散熱器主要是針對我們的發熱器件溫升過高，需要採用散熱器來降低熱阻來達到降低溫升的作用！

主要發熱器件：整流橋，MOS管，整流二極體，變壓器，電感等等。

散熱器的大小選擇一般根據損耗的功率，需要的溫升來計算熱阻，根據熱阻來選擇相應面積的散熱器 。

當然也需要一些輔助的方式，比如在器件和散熱片間塗散熱膏，有會有些效果。比較小的空間可採用型材散熱，體積小，散熱面積大。

特殊器件有特殊的處理：如變壓器可將變壓器底下的PCB板挖空散熱，也可以在變壓器上用導熱泥貼散熱片的方式。電感也可以加銅環散熱等等。。。

問題十七：

LLC的輸出濾波電容怎麼決定的？

受哪些因素影響？

輸出濾波電容對輸出紋波至關重要，選擇合適的濾波電容需要從成本及紋波需求考慮，當然對每種拓撲濾波電容的選取都是按照輸出紋波需求，紋波電流所對應的ESR值來選取對應的電容，當然電容的容量與ESR的關係跟電容的品質也有著很重要的關係，之前已經討論過其關係式。紋波電壓時我們的需求，一般按照50mv的需求的話，設計留有餘量一般選擇10mv。（考慮到PCB板濾波效果，電容低溫容值降低），紋波電流計算式如下：

問題十八：移相全橋的驅動是什麼實現的？何為移相？移相帶來什麼？

移相全橋目前在中大功率使用中，也是用的很火，受歡迎程度僅次於LLC諧振半橋。之前已經比較過不同拓撲的使用情況，這裡就專門介紹下移相全橋的特點。

移相全橋特點一：

驅動比較複雜，導致控制電路複雜，成本很高，原因是移相全橋一般有4個MOS，對驅動能力要求很高，一般IC很難做到，需要對驅動能力透過外接MOS管放大使用，又為了加強可靠性一般採用隔離變壓器來驅動MOS管。

移相全橋特點二：

移相，為什麼要移相，移相帶來什麼，跟普通全橋有什麼區別。移相針對的是同一組的MOS管，讓2個MOS管依次導通，可以降低開關損耗。超前臂橋實現ZVS同時，副邊處於續流，原邊電流被二極體分擔，MOS管電流也很小，近似零電流導通，滯後臂橋可以零電壓導通。

移相全橋特點三：

工作過程複雜，二個輸出功率狀態（靠原邊提供能量），二個續流狀態（靠副邊電感及電容提供供能量），四個死區（來分別實現每個MOS管軟開通I）

只是為了給新手瞭解移相全橋，作為開關電源比較重要的拓撲一部分，它的重點和難點在哪裡。

問題十九：

大功率若追求效率，無橋PFC是怎麼實現的？

原理是什麼？

很多人都聽說過無橋PFC，不過真正使用起來並不很常見，原因是無橋PFC相比普通有橋PFC效率上固然有提升，一般也就在1-2%，若不是追求高效，一般都不會使用，成本太高。根據無橋PFC的特點，其實整流橋並沒有真正省去不用，只是當做交流輸入正負半軸的隔離使用，簡單來說相當於普通二個PFC，交流正負半軸各一個，相應的PFC電感也會增加一個，MOS管也會增加一個，驅動IC也會複雜一些，對於大功率為了做高效，檢測電阻用變壓器繞組來做，可以減小損耗。之前接觸過一個960W用無橋PFC+LLC效率達到96。5%，不過最終因為客戶要求輸入電壓交流和直流都能滿足，這時候無橋PFC就不能在直流下發揮很好的作用就否決了。

問題二十：

電力電源中為什麼用到三相電?三相三電平是怎麼實現，三電平帶來了什麼？

三相電在電力電源中使用比較多，一般在大功率1KW以上或者上萬W的場合。三相電一般採用三相四線，其中一根是零線，四根線相當於能夠傳輸普通二相電三倍的功率，傳輸功率更大是其最大優勢；其次三相電易於產生，目前最常見的三相非同步電機，能簡單方便產生。

三相三電平是怎麼回事呢，因為三相電不能直接給某些用電裝置供電，需要轉變成普通的二相電。一般過程，採用三相PFC轉換為直流電，直流電然後逆變成二相交流電。這裡面就牽涉到三電平技術，三相電PFC整流出來不是普通正負DC，而是三電平，也就是正DC，零，負DC。從這裡也可以看出來採用三電平器件的應力降低，諧波含量低，開關管損耗也低，這樣在高壓大功率場合優勢就非常突出了。

問題二十一：

電源中有很多保護電路，你最多能說幾種保護？

怎麼去實現？

電源的可靠性離不開保護電路，通常有哪些保護電路呢？

1.輸入欠壓過壓很常用，對交流訊號取樣。

2.輸出過壓保護，

一旦電源開關能鎖機對電源可靠性也有幫助。

3.過流保護，

有的是採用恆流做過流，有的採用限功率來做過流，當然也可以鎖機來做，目的一個可靠性，方法很多種。最可靠的保護一定是鎖死而不是打嗝！

4.過溫保護，

採用熱敏對變壓器或者是環境溫度等方式檢測，來反饋給到IC鎖機或者打嗝。

5.短路保護，

短路可以打嗝，同樣也可以鎖機。

這些是一般電源常用的，有的可以說是必備的保護電路。所以看好規格書選擇合適的IC來做保護功能更方便的保護電路。我用過一款LD7522做反激，這些功能就能很好，可以簡單全部的做出來。

問題二十二：

搞電源不懂市場？

你搞的電源何去何從？

開發出了沒用？

替老闆賺到錢才有用。

終於到了最後一個問題，電源市場問題一般工程師可能關注的少，注重研發是錯誤。專案成功不是做出來，而是賺到少的錢。

舉個例子：你一年做了三個專案累死累活，賺了100萬，另一個人一年就做了一個專案，比做三個專案輕鬆多了，一年賺了1000萬，老闆喜歡哪個？

有的人說專案又不是我們選擇，怎麼知道賺不賺錢，但是賺錢專案的特點我們要熟悉啊，什麼樣的電源市場上比較火啊，你清楚嗎？按照自己公司現有的模式來開發，有沒有和大公司的設計差距啊。不是說專案能不能做出來，而是能不能最優的做出來，其實站在研發角度也就是如何選擇最優拓撲，做省方案。