富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留資料的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機儲存器（記憶體）。FRAM的資料保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性儲存器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗效能。

MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取儲存器）晶片，由262，144字×16位非易失性儲存單元組成，這些單元使用鐵電工藝和矽柵CMOS工藝技術製造。能夠保留資料，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的儲存單元可用於1010個讀/寫操作，與Flash儲存器和E2PROM支援的讀和寫運算元量相比，有了顯著改進。MB85R4002A使用與常規非同步SRAM相容的偽SRAM介面。

引腳封

特點

•位配置：262，144字×16位

•LB和UB資料位元組控制

•讀寫續航力：1010次/位元組

•資料保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）

•工作電源電壓：3。0 V至3。6 V

•低功耗執行：工作電源電流15 mA（典型值），待機電流50μA（典型值）

•工作環境溫度範圍：−40°C至+ 85°C

•封裝：48引腳塑膠TSOP（FPT-48P-M48）

符合RoHS

非易失性儲存器FRAM，無需保持資料的電池，所以保持資料時不產生能耗。而且，寫入時間較通用EEPROM及快閃記憶體要短，具有寫入能耗低的優點。富士通FRAM代理英尚微電子為使用者提供應用解決方案等產品服務。