富士通SPI FRAM儲存器64K MB85RS64
時間:2021-06-28
時間:2021-06-28
FRAM就是鐵電儲存器,一種隨機存取儲存器,擁有SRAM、DRAM級別的讀取速度和壽命,而且是非易失性的,斷電不丟失資料...
時間:2021-11-17
事實上,自動駕駛、或者說ADAS(高階駕駛輔助系統)的本質是汽車與環境的對話,透過感測器採集資料、儲存器記錄資料、處理器運算資料以及反饋等過程實現...
時間:2021-04-16
資料中心、計算機和消費裝置中的海量儲存需要最高的密度和最低的每位元成本,通常由NAND快閃記憶體支援...
時間:2021-07-27
與傳統的非易失性儲存器(如EEPROM、快閃記憶體)相比,FRAM不需要用於資料儲存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗...
時間:2021-07-23
時間:2021-07-15
MB85RQ4ML封裝MB85RQ4ML具有高速執行和非易失性的特點,非常適合用於需要快速資料重寫的工業計算和網路裝置,如可程式設計邏輯控制器(PLC)和路由器...
時間:2021-07-07
時間:2021-05-10
時間:2021-07-23
另一種型別則是“非易失性儲存器”——資料在斷電時不會消失,這意味著資料一旦被寫入,只要不進行擦除或重寫,資料就不會改變...
時間:2021-05-31
除了車規級鐵電儲存器FRAM產品賦能汽車電子應用外,富士通FRAM具備高燒寫耐久性以及低功耗等特性,適用於系統閘道器(Gateway)中記錄與儲存重要的資料...
時間:2021-04-21
時間:2021-05-08
時間:2021-06-17
時間:2021-06-24
開始條件要透過I2C匯流排啟動讀或寫操作,請在SCL輸入為“H”電平時將SDA輸入從“H”電平更改為“L”電平...
時間:2021-06-29
富士通FRAM憑藉高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質,近年來在Kbit和Mbit級小規模資料儲存領域開始風生水起,在各種應用領域頻頻“露臉”並大有斬獲,這就是鐵電儲存器FRAM...
時間:2021-04-22
FRAM在整車控制單元VCU中的應用高燒寫耐久性,高速寫入操作:系統需要以每秒一次的頻率去實時記錄汽車行駛的當前狀態和發生故障時的變速器擋位,加速狀況,剎車和輸出扭矩等資訊...
時間:2021-04-21
FRAM在胎壓監測TPMS中的應用高燒寫耐久性,高速寫入速度,低功耗:新一代TPMS系統要求及時和連續地監測輪胎內部壓力,溫度和隨時間變化加速度資訊,資料採集頻率為1次/0...
時間:2021-04-22
時間:2021-04-22
醫療與傳統儲存器相比,FRAM具有非常明顯的抗輻射優勢,這也使得其成為了醫療應用(醫療器械及醫療電子標籤)中最佳的儲存器選擇...
時間:2021-04-16