近日，Xperi公司宣佈，該公司已與長江儲存簽署了一項許可協議，該協議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術相關的半導體智慧財產權的基礎組合，以用於其3D NAND產品之中。

△Source：Xperi網站截圖

Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示，Xperi的DBI混合鍵合是當前和未來幾代高效能、大容量3D NAND快閃記憶體的關鍵技術，Craig Mitchell指出，期待擴大與長江儲存的合作關係。

據Xperi介紹，混合鍵合3D整合技術越來越多地用於各種半導體器件，例如感測器、儲存器和邏輯器件，以增強效能和功能，同時減小尺寸和成本。在3D NAND應用中，DBI混合鍵合技術能夠分解儲存器陣列和邏輯電路，從而為每個應用提供最佳的晶圓工藝節點。

不過，作為此次合作的簽約方之一，長江儲存目前並未在其官方平臺對此訊息進行表態。

官方資料顯示，長江儲存是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM積體電路企業，主要為全球合作伙伴供應3D NAND快閃記憶體晶圓及顆粒，嵌入式儲存晶片以及消費級、企業級固態硬碟等產品和解決方案，產品廣泛應用於行動通訊、消費數碼、計算機、伺服器及資料中心等領域。

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