混合鍵合工藝進入發展快車道
圖:晶圓與晶圓混合鍵合,具有700nm金屬間距(來源:伊梅克,IEDM)混合鍵合的關鍵工藝步驟包括電鍍(電化學沉積、ECD)、CMP、等離子體活化、對準、鍵合、分離和退火...
時間:2022-07-29
圖:晶圓與晶圓混合鍵合,具有700nm金屬間距(來源:伊梅克,IEDM)混合鍵合的關鍵工藝步驟包括電鍍(電化學沉積、ECD)、CMP、等離子體活化、對準、鍵合、分離和退火...
時間:2022-07-29
此外,公司將根據不斷增長的需求加強生產線,力爭到 2025 年實現月產 10,000 片(6 英寸等效)的目標,包括現有的6英寸鍵合 SiC 基板量產示範線...
時間:2022-07-28
晶片堆疊封裝結構包括:1、主晶片堆疊單元(10),具有位於第一表面上的絕緣且間隔設定的多個主管腳(11)...
時間:2022-05-07
晶片堆疊封裝結構包括:1、主晶片堆疊單元(10),具有位於第一表面上的絕緣且間隔設定的多個主管腳(11)...
時間:2022-05-07
AMD 是第一家推出使用銅混合鍵合晶片的供應商,這是一種先進的晶片堆疊技術,可實現下一代 3D 類裝置和封裝...
時間:2022-02-11
透過採用這種方式,只要有成膜材料可以透過的縫隙,就能以奈米等級的膜厚控制,在小孔側壁和深孔底部等部位成膜,在深度蝕刻時的聚合物沉積等MEMS加工中形成均勻的成膜...
時間:2021-12-24
時間:2021-11-01
近日,Xperi公司宣佈,該公司已與長江儲存簽署了一項許可協議,該協議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術相關的半導體智慧財產權的基礎組合,以用於其3D NAND產品之中...
時間:2021-10-15
如今,SK海力士已經成為全球第二家採用EUV光刻技術量產LPDDR產品的公司,未來1a奈米級DRAM都將採用EUV工藝進行生產...
時間:2021-10-22
近日,Xperi公司宣佈,該公司已與長江儲存簽署了一項許可協議,該協議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術相關的半導體智慧財產權的基礎組合,以用於其3D NAND產品之中...
時間:2021-10-15
半導體晶片封裝是指利用膜技術及細微加工技術,將晶片及其他要素在框架或基板,上佈局貼上固定及連線,引出接線端子並透過可塑性絕緣介質灌封固定,構成整體立體結構的工藝...
時間:2021-06-29