11月24日，國星光電釋出最新的調研報告，與投資者分享公司在Mini/Micro LED及第三代半導體領域的發展近況。

在超高畫質顯示領域方面，國星光電研發了覆蓋MiniLED直顯 P0。4到P0。9全系列產品， 其中 MiniLED P0。4系列產品採用獨創的20 in 1 封裝方式是目前全球封裝密度最高的 Mini 產品。

Micro LED方面，國星光電的巨量轉移工藝取得突破性進展，產品良率高。此外，國星半導體開發了面向P0。3和 P0。1間距Micro LED晶片，目前小批次供貨國星光電研究院。

國星光電在第三代半導體領域方面的佈局覆蓋上游晶片、中游封測及下游應用。上游晶片方面，國星光電佈局了矽基氮化鎵的外延晶片；在中游封裝上，國星光電已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線；而下游應用端，國星光電積極與相關企業洽談合作和訂製樣品的開發。

在外延晶片領域，國星光電積累了一定的技術優勢，其子公司國星半導體擁有矽基氮化鎵晶片相關技術儲備。目前，國星半導體聯合多所高校及研究所展開GaN功率器件、紫外探測器晶片、深紫外UVC晶片等方向的研發工作並參與兩項第三代半導體方向的省級研發專案。

另外，國星光電透露，目前公司推出了智慧健康感測器件，可廣泛應用於智慧手錶、智慧手環等裝置場景。公司智慧健康感測器件主要由發射器 1816 系列及接收器 3220 光敏系列組成。目前，該智慧健康感測器件已實現量產並已與客戶展開相關合作。

資訊來源：LEDinside整理

封面圖源：拍信網