快閃記憶體技術在近年來得到了迅速的發展，在快閃記憶體顆粒方面也經歷了SLC、MLC、TLC、QLC等技術的更迭，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC快閃記憶體了，但由於QLC快閃記憶體效能差是先天性的，如果用光了快取容量空間，QLC快閃記憶體真實寫入速度甚至只有100MB/s出頭。

三星方面表示未來會重點關注QLC快閃記憶體的效能，目前他們使用的QLC快閃記憶體主要還是96層堆疊的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC快閃記憶體時代。而這也會帶來快閃記憶體效能的提升，相比V4 QLC快閃記憶體而言，寫入速度為2。7倍、讀取速度為2。6倍，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入效能可提升到320MB/s。

不考慮快取加速，320MB/s的原始寫入效能已經相當可觀了，足以讓SSD效能重新超過HDD硬碟，並且跟TLC快閃記憶體一較高下，相關產品預計在明年上市。

對大多數玩家來說，這都是一個利好訊息，拿三星自己的產品舉例採用TLC顆粒的三星870 EVO，1TB 版本的價格與採用QLC顆粒的三星870 QVO價格相差了300元，2TB版本相差了400元，4TB版本更是相差了700元，而在讀寫速度方面兩者基本相同，對於購買預算不高的使用者，870 QVO顯然更具有價效比，相信隨著QLC快閃記憶體效能的提高，採用QLC顆粒的快閃記憶體產品價效比會進一步提升。