美商記憶體大廠美光（Micron）宣佈，全球首款232層堆疊NAND Flash快閃記憶體已正式量產。其具備業界最高的單位儲存密度（areal density），並提供與前幾代NAND相比更高的容量和更佳的能源效率，能提供從終端使用者到雲計算之間大部分資料密集型應用最佳支援。

美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示，美光的232層堆疊NAND Flash快閃記憶體作為儲存裝置創新的分水嶺，證明了美光具有將3D NAND Flash擴充套件到200層以上堆疊的製造能力。這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新，包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發，以及針對美光獨步業界的176層堆疊NAND Flash快閃記憶體技術所進行的設計改進。

美光指出，隨著全球資料量持續攀升，儲存容量和效能的提升勢在必行。而美光的232層堆疊NAND Flash快閃記憶體技術不僅具備必要的高效能儲存，可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務，也能提供移動裝置、消費性電子產品和個人計算機所需的迴應速度及沉浸式體驗。

此外，該技術節點達到了如今業界最快的NAND I/O速度：2。4 GB/s，將滿足以資料為中心的工作負載（如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲計算等）的低延遲和高傳輸量需求，相較美光176層堆疊NAND Flash快閃記憶體製程節點所提供最高速的介面資料傳輸速度快50%。另外，美光232層堆疊NAND Flash快閃記憶體的每晶粒寫入頻寬提高100%，讀取頻寬也增加超過75%，這些優勢將進一步強化SSD和嵌入式NAND解決方案的效能和能源效率。

此外，美光232層堆疊NAND Flash快閃記憶體引進全球首款六平面（6-Plane）TLC生產型NAND Flash，是所有TLC快閃記憶體中每晶粒擁有最多平面的產品，且每個平面都有獨立的讀取能力。傑出的I/O速度和讀寫延遲表現，結合美光的六平面架構的結合，將實現許多配置的最佳資料傳輸能力。此架構可以減少讀寫命令之間的衝突，進而改善系統級服務品質。

美光的232層堆疊NAND Flash快閃記憶體也是首款在生產中支援NV-LPDDR4的產品，此低電壓介面與過去的I/O介面相比可節省每位元傳輸超過30%，因此，232層堆疊NAND Flash快閃記憶體解決方案得以為在提高效能和低功耗之間力求平衡的移動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面也向下相容，支援舊款控制器和系統。

232層堆疊NAND Flash快閃記憶體的精巧外形不僅賦給客戶在設計上的彈性，也實現了有史以來最高的TLC密度（14。6 Gb/mm2），其單位儲存密度較目前市場上的TLC競品相比高出35%至100%。此外，還採用媲美光前幾代產品小28%的新封裝尺寸，11。5mm×13。5mm的封裝使其成為目前最小的高密度NAND，而在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。

當前，美光的232層堆疊NAND Flash快閃記憶體目前正在新加坡晶片廠量產，會優先以封裝顆粒形式及透過美光Crucial SSD消費性產品系列向客戶出貨。

（首圖來源：美光）