數碼再傳捷報!中國晶片巨頭獲得重大突破,打破美日韓技術封鎖指日可待需要知道的是,長江儲存直接釋出,首款128層3DNAND儲存晶片的行為有望進一步加快與美日韓三國晶片企業爭奪市場的步伐,同時對於提高我國晶片自己自主力,確保國內晶片供應安全有著舉足輕重的意義...時間:2020-05-07標籤:晶片 我國 3DNAND 儲存 儲存晶片
數碼SK海力士預測未來的儲存工藝發展DRAM的未來:EUV低於10nm與美光科技不同,SK海力士認為採用EUV光刻技術是保持DRAM效能不斷提高,同時提高儲存晶片容量、控制功耗最直接的方法...時間:2021-03-31標籤:海力士 SK 記憶體 DRAM 3DNAND