數碼向單晶片的GaN器件進軍減少寄生效應和利用 GaN 卓越開關速度的最佳方法是將驅動器和 HEMT 整合在同一晶片上,”來自IMEC的Stefaan Decoutere 解釋道...時間:2022-03-22標籤:GaN 電壓 電晶體 器件 HEMT
數碼【IEEE里程碑獎】HEMT技術HEMT是一種異質結場效應電晶體,1979年12月由富士通的三村隆史(Takashi Mimura)發明,並於1980年發表了第一篇有關HEMT的文章“A New Field-Effect Transistor with Selectivi...時間:2021-05-31標籤:HEMT 放大器 AlGaAs 低噪聲 pHEMT